真空鍍膜技術具有下列優(yōu)點：

薄膜和基體選材廣泛，薄膜厚度可進行控制，薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。

鍍膜技術都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾。

由于在真空條件下制膜，所以薄膜的純度高、密實性好、表面光亮不需要再加工，這就使得薄膜的力學性能和化學性能比電鍍膜和化學膜好。

在鍍膜領域，鍍膜后薄膜樣品的厚度是影響薄膜性能的一個重要因素。薄膜的成膜過程，是一個物質形態(tài)的轉變過程，不可避免地在成膜后的膜層中會有應力存在，對于多層膜來說有不同膜料的組合，各膜層體現(xiàn)出的應力是有所不同的，有的是張應力、有的是壓應力，還有膜層及基片的熱應力。

輔助氣體的充入要考慮膜料的放氣，鍍前對膜料充分預熔充分放氣，也可以避免由于蒸鍍中膜料放氣造成真空度過度下降，從而影響膜強度。

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結于鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。

物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。

物理氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材廣泛、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復性好等優(yōu)點。