華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1200A（可擴展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現(xiàn)的在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3。 近兩年IGBT測試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們華科智源推出了大功率IGBT測試儀，可以測試1200A，5000V以內的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測試了，我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數(shù)，對一些檢修，維護領域的工作有比較好的幫助，目前國內我們華科智源不光是IGBT靜態(tài)測試儀，包括動態(tài)測試儀，與的設備也可以放在一起競爭了，而且我們不怕競爭，這對我們是一種促進。

IGBT測試裝置技術要求 （1）設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)的測試原理符合相應的國家標準，系統(tǒng)為獨立式單元，封閉式結構，具有升級擴展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測。工作濕度 13）被測器件旁路開關被測安全接地開關，設備不運行時，被測接地。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測問題。

欲測知元件老化，所須提供的測量范圍為何？ 當大功率元件在作導通參數(shù)的測試時，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時，在作關閉參數(shù)的漏電流測試時，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當這兩個參數(shù)通過后，便表示元件基本上良好，再進一步作其他參數(shù)的測量，以分辨其中的優(yōu)劣。建議進行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準確的判斷器件老化程度。1有完備的安全控制單元，動態(tài)測試設備有傳感器來保證操作者安全，設備任何門被打開均能快速切斷高壓電源。

4驗收和測試 3)驗收試驗應在-10～40℃環(huán)境溫度下進行，驗收完成后測試平臺及外部組件和裝置均應安裝在買方的位置上。 4)測試單元發(fā)貨到買方前，賣方應進行出廠試驗。賣方出廠試驗詳細方案應提前提交買方評估，通過買方評估合格后實施方可視為有效試驗。半導體元器件生產廠——應用本公司測試系統(tǒng)可對半導體元器件生產線的成品進行全參數(shù)的測試、篩選、分析，以確保出廠產品的合格率。否則，需按買方提出的修改意見重新制定出廠試驗方案，直至買方評估合格。