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發(fā)布時(shí)間:2021-08-19 04:19  
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3、技術(shù)指標(biāo) * 3.1 機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機(jī)臺(tái)可測(cè)IGBT項(xiàng)目 及測(cè)試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測(cè)5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測(cè)試項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1~10V VGE:0.1~10V±1%±0.01V; 解析度:0.01V 集電極電流Ic: 10~50mA±1%±0.5mA; 50~200mA±1%±1mA; 200~1000mA±1%±2mA;主要參數(shù) 測(cè)試范圍 精度要求 測(cè)試條件Vce集射極電壓 150~3300V 150~500V±3%±1V。

表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成
序號(hào) 組成部分 單位 數(shù)量
1 可調(diào)充電電源 套 1
2 直流電容器 個(gè) 8
3 動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感 套 1
4 安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感 套 1
5 補(bǔ)充充電回路限流電感L 個(gè) 1
6 短路保護(hù)放電回路 套 1
7 正常放電回路 套 1
8 高壓大功率開關(guān) 個(gè) 5
9 尖峰抑制電容 個(gè) 1
10 主回路正向?qū)ňчl管 個(gè) 2
11 動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 2
12 安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 3
13 被測(cè)器件旁路開關(guān) 個(gè) 1
14 工控機(jī)及操作系統(tǒng) 套 1
15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1
16 機(jī)柜及其面板 套 1
17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1
18 加熱裝置 套 1
19 其他輔件 套 1

11)動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管
用于防止測(cè)試過程中的過電壓。
?壓降小于1V
?浪涌電流大于20kA
?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs
?工作溫度 室溫~40℃
?工作濕度 <70%
12)安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管
?浪涌電流 大于20kA
?反向恢復(fù)時(shí)間 小于2μS
?工作濕度 <70%
13)被測(cè)器件旁路開關(guān)
被測(cè)安全接地開關(guān),設(shè)備不運(yùn)行時(shí),被測(cè)接地。
?電流能力 DC 50A
?隔離耐壓 15kV
?響應(yīng)時(shí)間 150ms
?工作方式 氣動(dòng)控制
?工作氣壓 0.4MPa
?工作濕度 <70%

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料技術(shù)要求 1)閾值電壓測(cè)試電路 閾值電壓測(cè)試電路(僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路) ?滿足表格9測(cè)試參數(shù)要求 ?低壓開關(guān)電源要求:Vcc=12V (針對(duì)上圖電路) ?可調(diào)電源:0.1~10V±1%±0.01V;分辨率0.01V ?集電極電流測(cè)試電路精度:10~50mA±1%±0.5mA; 50~200mA±1%±1mA;系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),系統(tǒng)為獨(dú)立式單元,封閉式結(jié)構(gòu),具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?00~1000mA±1%±2mA;1000~2000mA±1%±5mA; 2)集射極截止電壓/集射極截止電流測(cè)試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測(cè)試電路 ?高壓充電電源:10~2kV連續(xù)可調(diào) ?支撐電容:額定電壓2kV ?集電極電流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~30mA±1%±0.1mA;30~300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES:200~1500V±2%±1V
