脈沖激光沉積簡(jiǎn)介

隨著現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展，薄膜科學(xué)已成為近年來(lái)迅速發(fā)展的學(xué)科領(lǐng)域之一，是凝聚態(tài)物理學(xué)和材料科學(xué)的一個(gè)重要研究領(lǐng)域。并能加快薄膜生長(zhǎng)機(jī)理的研究和提高薄膜的應(yīng)用水平，加速材料科學(xué)和凝聚態(tài)物理學(xué)的研究進(jìn)程。功能薄膜是薄膜研究的主要方面，它不僅具有豐富的物理內(nèi)涵，而且在微電子、光電子、超導(dǎo)材料等領(lǐng)域具有十分廣泛的應(yīng)用。長(zhǎng)期以來(lái)，人們發(fā)明了多種制膜技術(shù)和方法：真空蒸發(fā)沉積、離子束濺射、磁控濺射沉積、分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、溶膠- 凝膠法等。上述方法各有特點(diǎn)，并在一些領(lǐng)域得到應(yīng)用。但由于其各有局限性，仍然不能滿足薄膜研究的發(fā)展及多種薄膜制備的需要。隨著激光技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展，特別是高功率脈沖激光技術(shù)的發(fā)展，脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)的特點(diǎn)逐漸被人們認(rèn)識(shí)和接受

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脈沖激光沉積的優(yōu)點(diǎn)

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1. 易獲得期望化學(xué)計(jì)量比的多組分薄膜，即具有良好的保成分性；

2. 沉積速率高，試驗(yàn)周期短，襯底溫度要求低，制備的薄膜均勻；

3. 工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié)，對(duì)靶材的種類(lèi)沒(méi)有限制；

4. 發(fā)展?jié)摿薮?，具有極大的兼容性；

5. 便于清潔處理，可以制備多種薄膜材料。

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長(zhǎng)室，進(jìn)樣室可選水平、垂直兩種靶臺(tái)可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺(tái)可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達(dá)100Pa可預(yù)留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項(xiàng)如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。但是PLD方法無(wú)法準(zhǔn)確控制膜厚，不可能制備原子層尺度的超薄型薄膜和超晶格材料。

脈沖激光沉積原理

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脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對(duì)靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來(lái)，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。