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發(fā)布時間：2021-08-13 15:37
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ASEMI整流肖特基二極管快資訊！
SiC高壓SBD
由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導率高為4.9W/(cm·K)，抗化學腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度SBD的比較理想的新型材料。
為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結(jié)合、高/低勢壘雙金屬溝槽(DMT)結(jié)構(gòu)的SiCSBD設計方案是可行的。采用這種結(jié)構(gòu)的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護環(huán)的6H-SiCSBD，擊穿電壓達550V。
3、常用的肖特基二極管
常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型號。也就是常說的插件封裝。
常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何命名為"SS"?
SCHOTTKY:取首字母"S",
SMD:Surface Mounted Devices 的縮寫，意為：表面貼裝器件，取首字母"S",
上面兩個詞組各取首字母、即為 SS,
電流的肖特基是BAT42（0.2A）；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；
電流的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超過440A 的必定是模塊。
肖特基的電壓是 200V,也就是說，肖特基的極限電壓是200V.超過200V 電壓的也必定是模塊。
電流越大，電壓越低。與可控硅元件不一樣。電流與電壓成反比（模塊除外）。
10A、20A、30A 規(guī)格的有做到200V 電壓。除此外，都沒有200V 電壓規(guī)格。
