通常鏤空蝕刻細保留線 條在 0.3mm 左右，而我公司能生產(chǎn)出 0.1mm 左右的細線條。通常表 面蝕刻能達到 0.15mm 線條，而我公司能生產(chǎn)出 0.04mm 細線條。 所以叫做精細蝕刻。 精細蝕刻其工藝流程基本上與普通蝕刻一樣， 即： 基材清洗——印抗蝕油墨——烘干——曝光——顯影——蝕刻——去膜 ——電鍍 基本操作如下： 1.1 圖案與菲林制作 因為精細蝕刻的產(chǎn)品已進入藝術(shù)品的范疇，所以制圖時應將造 型、布局、色彩，特別是光線反射等諸多藝術(shù)效果的因素與生產(chǎn)工藝 所允許的條件完好的結(jié)合起來。金屬標牌蝕刻工藝流程金屬的種類不同，其蝕刻工藝的流程也不同，標牌蝕刻是現(xiàn)在比較常見的一種形式，因成本較低，收入穩(wěn)定大受歡迎，很多人在選擇蝕刻加工時都會選擇標牌蝕刻法。

同樣地﹐如果蝕刻液出現(xiàn)化學不平衡﹐結(jié)渣的情況 就會愈加嚴重。 蝕刻液突然出現(xiàn)大量結(jié)渣時﹐通常是一個信號﹐表示溶液的平衡出現(xiàn)了問 題, 這時應使用較強的鹽酸作適當?shù)那鍧嵒驅(qū)θ芤哼M行補加。 另外, 殘膜也會產(chǎn)生結(jié)渣物。 量的殘膜溶于蝕刻液中﹐形成銅鹽沈淀。這表示前 道去膜工序做得不徹底, 去膜不良往往是邊緣膜與過電鍍共同造成的結(jié)果。但有一個原則﹐一種蝕刻溶液的密度（即比重或玻美度）越高﹐很好的噴射壓力也應越高。

蝕刻是在光刻過的基片上可通過濕刻（wet etching）和干刻（dry etching）等方法將 阻擋層上的平面二維圖形加工成具有一定深度的立體結(jié)構(gòu)。選用適當?shù)奈g刻劑，使 它對光膠、薄膜和基片材料的腐蝕速度不同，可以在薄膜或基片上產(chǎn)生所需的微結(jié) 構(gòu)。 ? 復雜的微結(jié)構(gòu)可通過多次重復薄膜沉積－光刻－蝕刻這三個工序來完成。微流控基片通過預處理，涂膠，前烘，曝光，顯影及堅膜，去膠等步驟后，材料上 呈現(xiàn)所需要的圖形，即通道網(wǎng)絡(luò)。 蓋板與微流控芯片基片的封接 ?經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。 基片和蓋板封接后形成封閉的小池，可用來儲存試劑或安裝電極。