KOAN 壓控晶體振蕩器介紹

用外加電壓對(duì)晶振的頻率進(jìn)行控制，這就是KOAN壓控晶振，壓控晶振廣泛用于晶振頻率的電校準(zhǔn)，鎖相晶振，模擬和數(shù)字溫補(bǔ)晶振，頻率調(diào)制和頻率捷變技術(shù)中。壓控頻偏，壓控線性和頻率穩(wěn)定度是壓控晶振的3個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，對(duì)晶振頻率進(jìn)行壓控總是以犧牲晶振的頻率穩(wěn)定度為代價(jià)的，若非必要，切不可對(duì)晶振的壓控頻偏提出過(guò)分要求。

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KOAN 壓控晶振的電源電壓對(duì) VCXO 壓控特性的影響

理想的 KOAN 壓控晶振，其振蕩頻率與變?nèi)荻O管的反向電壓之間的關(guān)系應(yīng)該是線性的。當(dāng)控制電壓變化時(shí)，此線性關(guān)系應(yīng)不被破壞，但若振蕩器設(shè)計(jì)不合理時(shí)，其壓控特性變得復(fù)雜起來(lái)而不再保持一種線性關(guān)系。為了改善晶振頻率穩(wěn)定度，需減小疊加到變?nèi)荻O管上的高頻電壓，穩(wěn)定疊加到變?nèi)荻O管偏壓上的高頻電壓，改進(jìn)變?nèi)荻O管偏壓與頻率特性的線性和對(duì)稱性。

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KOAN 壓控晶振相位噪聲的形成因素主要三方面

A.近端相噪主要是晶體 Q 值來(lái)決定。高頻晶體有很高的近載波相位噪聲（Close-inPhase Noise）, 因?yàn)樗麄冇械偷?Q 值和更寬的邊帶；

B 中端相噪主要是晶體外圍電路(包括 IC)來(lái)決定；

C 遠(yuǎn)端相噪主要是信號(hào)輸出(白噪聲)來(lái)決定。

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焊接不當(dāng)可能傷害 KOAN 貼片壓控振蕩器

SMD 壓控晶振趨于小型化，內(nèi)部有 IC，對(duì)溫度和靜電異常的敏感，要做好防靜電措施以防擊穿 IC。在焊接過(guò)程中一定到嚴(yán)格按照推薦的回流焊溫度曲線圖進(jìn)行操作。其中更需注意的是控制好溫度升降速度，溫度變化太快容易造成熱沖擊，對(duì)晶振造成不可恢復(fù)性的破壞。

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