光刻膠的應(yīng)用

光刻膠的應(yīng)用

       1975年，美國(guó)的國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國(guó)際統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)——SEMI標(biāo)準(zhǔn)。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。1978年，德國(guó)的伊默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn)。兩種標(biāo)準(zhǔn)對(duì)超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級(jí)別IC的制作要求。其中，SEMI標(biāo)準(zhǔn)更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認(rèn)可。

芯片光刻的流程詳解（二）

所謂光刻，根據(jù)維基百科的定義，這是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。光刻膠介紹光刻膠自1959年被發(fā)明以來(lái)一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。

光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。

NR77-15000PYNR26 25000P光刻膠價(jià)格NR26 25000P光刻膠價(jià)格

光刻膠穩(wěn)定性

化學(xué)穩(wěn)定性：在正常儲(chǔ)存和操作條件下，在密閉容器中室溫穩(wěn)定。

避免的條件: 火源、濕氣、過(guò)熱的環(huán)境。

不相容的其他材料: 強(qiáng)氧化劑。

光刻膠毒理資料

淡黃色液體，氣味微弱。引起皮膚、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激?？梢酝ㄟ^(guò)皮膚吸收而引起全身性的癥狀。液體是可燃的。

毒性數(shù)據(jù)

皮膚：可以通過(guò)皮膚吸收而引起全身性的癥狀，類似于吸入。長(zhǎng)時(shí)間或重復(fù)接觸可引起輕度至中度的刺激或皮炎。

眼睛：引起眼睛發(fā)炎。

吸入：吸入時(shí)可能有害。引起呼吸道刺激。蒸氣可能導(dǎo)致困倦和頭暈。

攝食：吞食有害。

延遲效應(yīng)：肝和損害，以及動(dòng)物實(shí)驗(yàn)中有報(bào)道血液和GU髓有影響。