半導(dǎo)體的焦點(diǎn)通常集中在工藝節(jié)點(diǎn)本身，而封裝則成為現(xiàn)代半導(dǎo)體中一個(gè)往往受到忽視的推動(dòng)因素。終，硅芯片僅僅是需要電源和數(shù)據(jù)互連的更龐大系統(tǒng)的一部分。從這個(gè)角度來看，封裝提供了處理器和主板之間的物理接口，主板則充當(dāng)芯片電信號(hào)和電源的著陸區(qū)。封裝使更小的封裝成為可能，從而能夠容納更大的電池，通過使用硅中介層集成高帶寬內(nèi)存 (HBM)，實(shí)現(xiàn)了類似的電路板尺寸縮減。封裝測(cè)試行業(yè)主要有四家上市公司，具體參照按2016年?duì)I收排名。隨著行業(yè)傾向于使用小芯片構(gòu)建模塊的異構(gòu)設(shè)計(jì)范例，平臺(tái)級(jí)互連變得非常重要。

對(duì)獨(dú)立的晶片用塑料外殼加以封裝保護(hù)，塑封之后，還要進(jìn)行一系列操作，如后固化、切筋和成型、電鍍以及打印等工藝。CSP封裝具有以下特點(diǎn)：解決了IC裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)測(cè)試和老化篩選的問題；封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10；先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠集成多種制程工藝的計(jì)算引擎，實(shí)現(xiàn)類似于單晶片的性能，但其平臺(tái)范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過單晶片集成的晶片尺寸限制。延遲時(shí)間縮到極短；CSP封裝的內(nèi)存顆粒不僅可以通過PCB板散熱，還可以從背面散熱，且散熱效率良好。PWB兩面可以形成不同的電路，采用整體回流焊等方式可使兩面上搭載的全部元器件一次鍵合完成，便于自動(dòng)化操作，實(shí)裝的可靠性也有保證。這是普遍采用的封裝形式。

此封裝的基材有陶瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分，當(dāng)沒有特別表示出材料時(shí)，多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是普及的多引腳LSI封裝。當(dāng)電子產(chǎn)品尺寸不斷縮小時(shí)，其內(nèi)部使用的半導(dǎo)體器件也必須變小，更小的半導(dǎo)體器件使得電子產(chǎn)品能夠更小、更輕、更便攜，相同尺寸包含的功能更多。SOT封裝既大大降低了高度，又顯著減小了PCB占用空間。半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了三次重大革新：次是在上世紀(jì)80年代從引腳插入式封裝到表面貼片封裝，它極大地提高了印刷電路板上的組裝密度；PGA(PinGridArrayPackage)：插針網(wǎng)格陣列封裝，插裝型封裝之一，基材多采用多層陶瓷基板。第二次是在上世紀(jì)90年代球型矩陣封裝的出現(xiàn)，滿足了市場(chǎng)對(duì)高引腳的需求，改善了半導(dǎo)體器件的性能；芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)封裝等是第三次革新的產(chǎn)物，其目的就是將封裝面積減到。

半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，按封裝的外形、尺寸、結(jié)構(gòu)分類可分為引腳插入型、表面貼裝型和封裝三類。從DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)。WLCSP有著更明顯的優(yōu)勢(shì)：是工藝大大優(yōu)化，晶圓直接進(jìn)入封裝工序，而傳統(tǒng)工藝在封裝之前還要對(duì)晶圓進(jìn)行切割、分類；所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進(jìn)行，設(shè)備測(cè)試一次完成，有別于傳統(tǒng)組裝工藝。20世紀(jì)80年代初發(fā)源于美國，為解決單一芯片封裝集成度低和功能不夠完善的問題，把多個(gè)高集成度、、高可靠性的芯片，在高密度多層互聯(lián)基板上組成多種多樣的電子模塊系統(tǒng)，從而出現(xiàn)多芯片模塊系統(tǒng)。封裝測(cè)試的分類和流程：封裝測(cè)試的分類方式有多種，如以封裝組合中芯片數(shù)目為依據(jù)可以分為單芯片封裝和多芯片封裝。