光氧催化除臭設(shè)備

進步光氧催化除臭設(shè)備半導體光催化劑活性的途徑

影響光催化的要素主要有：(1) 試劑的制備方法。常用TiO2光催化劑制備辦法有溶膠—凝膠法、沉淀法、水解法等。不同的辦法制得的TiO2粉末的粒徑不同，其光催化作用也不同。一起在制備進程中有無復(fù)合，有無摻雜等對光降解也有影響。

光氧催化除臭設(shè)備光催化劑用量。這些也開端應(yīng)用于催化薄膜的制備，能夠依據(jù)實際情況挑選不同的制備辦法。在光催化降解反響動力學中可知TiO2的用量對整個降解反響的速率是有影響的。有機物的品種、濃度。以TiO2半導體為催化劑， 有機分子結(jié)構(gòu)如芳烴替代度、環(huán)效應(yīng)和鹵代度對光催化氧化降解的影響。結(jié)果標明，光氧催化除臭設(shè)備對芳烴類衍生物，單替代基較雙替代基降解簡單，能構(gòu)成貫穿共軛體系的難降解。環(huán)效應(yīng)、鹵代度對光催化降解有較大影響，芳烴、環(huán)烷烴逐次削弱，鹵代度越高，降解越困難，全鹵代時根本不降解。對甲機橙等染料廢水進行光降解的研討中發(fā)現(xiàn)，低濃度時，速率與濃度成正比聯(lián)系；當反應(yīng)物濃度添加到必定的程度時， 隨濃度的添加反應(yīng)速率有所增大，但不成正比，濃度到了必定的界限后，將不再影響反響速率。

光氧催化除臭設(shè)備