IGBT測試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)的測試原理符合相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級擴(kuò)展?jié)撃堋?半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T4023-1997半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管。 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，解決IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測問題。

為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當(dāng)功率元件老化時(shí)，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長期使用后若溫升過高時(shí)，會使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。數(shù)據(jù)提?。簻y試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，會連帶將其驅(qū)動電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

8）高壓大功率開關(guān)

?電流能力 200A

?隔離耐壓 10kV

?響應(yīng)時(shí)間 150ms

?脈沖電流 20kA（不小于10ms）

?工作方式 氣動控制

?工作氣壓 0.4MPa

?工作溫度 室溫～40℃

?工作濕度 <70%

9）尖峰抑制電容

用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。

?電容容量 200μF

?分布電感 小于10nH

?脈沖電流 200A

?工作濕度 <70%