國際性鋰電池回收現(xiàn)行政策

振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊，工程項目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗板，負債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。

國際性鋰電池回收現(xiàn)行政策 

1991年歐洲共同體施行實施充電電池命令（91/157/EEC），并隨之充電電池產業(yè)鏈的迅速發(fā)展趨勢和環(huán)境保護規(guī)定的不斷提升，前后左右2次修定并各自頒布了充電電池命令（93/86/EEC）和（98/101/EEC）。2006年歐洲共同體公布鋰電池回收新命令（2006/66/EC），要求其理事國鋰電池回收再運用總體目標在2016年9月26日以前充電電池綜合性利用率超過45%，工業(yè)生產充電電池保持100%收購；后于2008年填補公布了廢料架構命令（2008/98/EC），對廢舊電池類型深化細分化，確立鋰電池回收等級。  

1993年日本國修定《節(jié)能法》并一起施行《再生能源法》合理布局鋰電池回收；于2000年政府部門實施“3R”方案（recycling/reuse/reduce），明確規(guī)定創(chuàng)建充電電池“循環(huán)系統(tǒng)-再運用”收購系統(tǒng)軟件。1991年和1994年英國陸續(xù)創(chuàng)立手持式充電鋰電池研究會（PRBA）充電電池和充電鋰電池回收商（PBRC），并制訂生態(tài)環(huán)境保護規(guī)范輔助鋰電池回收。

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學反應可以簡單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現(xiàn)。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產能。

4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。

擴散方式

PE 設備有兩類：平板式和管式。

按反應方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設備里，等離子產生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進入反應腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對大規(guī)模生產尤其重要。

電池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片流程

1、   車間段位構成

WHQ ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的質量決定了電池片的轉換效率。而該工序則是對硅片的來料檢測，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會厚薄不均，放片時需 180 度錯落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細 柵方向，預防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會有粘度導致原硅片粘連，放置時需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對表面進行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉換率。

減重 ，活性不均勻會影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時間為兩小時，兩小時內要及時送入下一工序。