編輯：DD

肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管。

從誕生之初，肖特基二極管就注定了其不平凡的一生，從低頻到高頻，從高損耗到低損耗，肖特基二極管在其發(fā)展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世紀延續(xù)了這個不平凡，將高頻率低耗損環(huán)保節(jié)能的產品引入并發(fā)展！

肖特基二極管的弱點和避免事項

肖特基二極體的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實務設計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術也已有了進步，其反向偏壓的額定值可以到200V。

肖特基(Schottky)二極管的特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點:耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要多做考慮。

另外，除了普通PN結二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等。

關于肖特基二極管的應用，ASEMI總結出以下幾點：

肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低（0.4—1.0V）、反向恢復時間很短（0-10納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。