華科智源IGBT測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書(shū)的要求外，在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。14）工控機(jī)及操作系統(tǒng)用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：。 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則 GB19517-2004 國(guó)家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感

?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?電流 通過(guò)選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）

?瞬態(tài)電壓 大于10kV

?負(fù)載電感 配備自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)，可分別接通不同電感值，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通；自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。

5）補(bǔ)充充電回路限流電感

限制充電回路中的di/dt。

?電感量 100μH

?電流能力 6000A （5ms）

?瞬時(shí)耐壓 10kV

?工作溫度室溫～40℃

?工作濕度 <70%

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測(cè)試電路 閾值電壓測(cè)試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路） ?滿足表格9測(cè)試參數(shù)要求 ?低壓開(kāi)關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對(duì)上圖電路) ?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測(cè)試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA；主要參數(shù) 測(cè)試范圍 精度要求 測(cè)試條件Vce集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V。 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測(cè)試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測(cè)試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V