CIS封裝測(cè)試行業(yè)驅(qū)動(dòng)因素：這里主要指的是CSP封裝形式的CIS封裝，行業(yè)增長(zhǎng)因素主要來(lái)自于800萬(wàn)像素以下低像素?cái)z像頭顆數(shù)的增長(zhǎng)。用這種形式封裝的芯片必須采用SMD（表面安裝設(shè)備技術(shù)）將芯片與主板焊接起來(lái)。2019年的年中，隨著各大品牌廠商主攝像頭都使用4800萬(wàn)像素產(chǎn)品，為了降低成本和品牌宣傳，大量的疊加了2顆200萬(wàn)像素的產(chǎn)品，這使得低像素產(chǎn)品的市場(chǎng)自2015年減弱以來(lái)的一次迎來(lái)爆發(fā)式的增長(zhǎng)。

封裝的分類：
MCM (Multi ChipModel)：多芯片模塊封裝，可根據(jù)基板材料分為MCM-L，MCM-C 和MCM-D 三大類。

QFP (Quad Flat Package)：四側(cè)引腳扁平封裝，表面貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應(yīng)用，基材方面有陶瓷、金屬和塑料三種。

PGA (Pin Grid Array Package)：插針網(wǎng)格陣列封裝，插裝型封裝之一，基材多采用多層陶瓷基板。

SIL (Single In-line)：?jiǎn)瘟兄辈迨椒庋b，引腳從封裝一個(gè)側(cè)面引出，排列成一條直線。

CSP封裝具有以下特點(diǎn)：解決了IC裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)測(cè)試和老化篩選的問(wèn)題；封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10；延遲時(shí)間縮到極短；CSP封裝的內(nèi)存顆粒不僅可以通過(guò)PCB板散熱，還可以從背面散熱，且散熱效率良好。20世紀(jì)80年代初發(fā)源于美國(guó)，為解決單一芯片封裝集成度低和功能不夠完善的問(wèn)題，把多個(gè)高集成度、、高可靠性的芯片，在高密度多層互聯(lián)基板上組成多種多樣的電子模塊系統(tǒng)，從而出現(xiàn)多芯片模塊系統(tǒng)。微通孔分離隨著電子器件中的間距越來(lái)越小，微通孔技術(shù)在PCB中的應(yīng)用呈式增長(zhǎng)。封裝過(guò)程為：來(lái)自晶圓前道工藝的晶圓通過(guò)劃片工藝后，被切割為小的晶片，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金、錫、銅、鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹(shù)脂將晶片的接合焊盤(pán)連接到基板的相應(yīng)引腳,并構(gòu)成所要求的電路。

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程如下：由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。此外，由于焊球非常靠近鈍化層，焊球工序與線路后端棧可能會(huì)相互影響。半導(dǎo)體封裝測(cè)試是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。封裝過(guò)程為：來(lái)自晶圓前道工藝的晶圓通過(guò)劃片工藝后，被切割為小的晶片，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金、錫、銅、鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹(shù)脂將晶片的接合焊盤(pán)連接到基板的相應(yīng)引腳,并構(gòu)成所要求的電路。人們對(duì)芯片級(jí)封裝還沒(méi)有一個(gè)統(tǒng)一的定義，有的公司將封裝本體面積與芯片面積之比小于2的定為CSP，而有的公司將封裝本體面積與芯片面積之比小于1.4或1.2的定為CSP。