?！癯跫?jí)與次級(jí)主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會(huì)更有利?！耖_(kāi)關(guān)電源在MOSFET-D端點(diǎn)工作時(shí)候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點(diǎn)），在變壓器繞制時(shí)建議將他繞在變壓器的個(gè)繞組，并作為起點(diǎn)端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的?！馰CC繞組在計(jì)算其圈數(shù)時(shí)盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因?yàn)閱?dòng)前電流是非常小的，所以這個(gè)電阻并沒(méi)有多少影響，幾乎可以忽略不計(jì)。

理由：開(kāi)關(guān)管工作時(shí)容易干擾到背部的芯片，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，其它高頻器件同理 60.輸出的DC線在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，要設(shè)計(jì)成長(zhǎng)短一至，焊盤孔間隔要小。 理由：SR的尾部留長(zhǎng)是一樣長(zhǎng)的，當(dāng)兩個(gè)焊盤孔間隔太遠(yuǎn)時(shí)，會(huì)造成不方便生產(chǎn)焊接 61.MOS管、變壓器遠(yuǎn)離AC端，改善EMI傳導(dǎo)。 理由：高頻信號(hào)會(huì)通過(guò)AC端耦合出去，從而噪聲源被EMI設(shè)備檢測(cè)到引起EMI問(wèn)題 62.驅(qū)動(dòng)電阻應(yīng)靠近MOS管。 理由：增加抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性


63.一個(gè)恒壓恒流帶轉(zhuǎn)燈的PCB設(shè)計(jì)走線方法和一個(gè)失敗案例。 PCB設(shè)計(jì)走線方法請(qǐng)看圖：(a) 地線的Layout原則如(1)(2)(3)綠線所示，R11的地和R14的地連接到芯片的地，再連接到EC4電解電容的地。注意不可連到變壓器的地，因?yàn)樽儔浩鞔渭?jí)A->D3->EC4->次級(jí)B形成功率環(huán)，如果ME4312芯片的地接到次級(jí)B線到EC4電容之間，受到較強(qiáng)的di/dt干擾會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)的不穩(wěn)定等因素。 失敗案例： 造成的問(wèn)題：轉(zhuǎn)燈時(shí)紅燈綠燈一起亮，并且紅燈綠交替閃爍。