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ASEMI肖特基二極管參數的研發(fā)拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是專門為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設計的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD，起始電壓比業(yè)界居先進水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V)，導通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ)，導通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。

Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管，簡稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有簡寫為：SBD來命名產品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。

　　因此，SBD也稱為金屬-半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封裝；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封裝

　　元件的封裝形式也在型號的前綴第四位字母中體現，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示貼片DPAK封裝

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示貼片D2PAK封裝

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是貼片DPAK封裝；TO-263,也就是貼片D2PAK封裝；任何型號的命名都有它的規(guī)律性可循。例如：MBR20100CT,型號中就20100是阿拉伯數字，20100中，20是電流，100是電壓。以此類推。

MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復實力彰顯！

采用了臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數經過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標準，將漏電流有5uA加嚴到2uA以內；正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。