氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應用于高溫超導薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學穩(wěn)定性好、成本低的特點。

氧化鋯(YSZ)晶體產品規(guī)格：常規(guī)晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規(guī)尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

由于氧化鋯材料具有高硬度，高強度，高韌性，極高的耐磨性及耐化學腐蝕性等等優(yōu)良的物化性能，氧化鋯已經在陶瓷、耐火材料、機械、電子、光學、航空航天、生物、化學等等各種領域獲得廣泛的應用。

氧化鋯(YSZ)晶體技術參數(shù)。 晶體結構：立方；晶格常數(shù):a = 5.125  ?；密度:5.8 g  / cm3；純度: 99.99%；熔點: 2800°c；熱膨脹系數(shù):10.3 x10-6/ °c；介電常數(shù):27；晶體生長方法：弧熔法。

氧化鋯存在三種穩(wěn)定度同素異晶體：單斜相，立方相和四方相。三種晶型相互間的轉化關系如下：單斜ZrO2  →  四方ZrO2  →  立方ZrO2  →   熔體。純氧化鋯的單斜相從室溫到1170℃是穩(wěn)定的，超過這一溫度轉變?yōu)樗姆较?，然后?370℃轉變?yōu)榱⒎较?，直?680℃發(fā)生融化。由單斜相轉變?yōu)樗姆较嘤袦蟋F(xiàn)象。全部稀土元素都能與氧化鋯形成固溶體，而目前應用的廣泛的就是釔（Y)穩(wěn)定氧化鋯。

氧化鋯晶型有三種 純的氧化鋯在常壓下有三種晶型：從低溫到高溫依次為單斜、四方和立方。其密度分別為：單斜型5.65g/cm3，四方型6.10g/cm3，立方型6.27g/cm3。 可見溫度越高，密度越大。因此，在同樣質量下，溫度越低，體積越大。

氧化鋯的穩(wěn)定化處理 當ZrO2從高溫冷卻到室溫要經歷c→t→m的同質異構轉變，其中由t-m相變過程要產生約7%的體積膨脹，加熱至1170℃時m-ZrO2轉變?yōu)閠-ZrO2，這種轉變過程則發(fā)生體積收縮，這種t相和m相之間的相變稱為ZrO2的馬氏體相變