鋁酸鑭（LaAlO3）具有大的禁帶寬度(5-6eV),高的介電常數(shù)值(~25)和很好的熱穩(wěn)定性使其成為替代Si基jin屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管中SiO2的zui佳替代材料。產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)尺寸：5x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm ；常規(guī)晶向：<100>、<110>、<111>；晶向公差： /-0.5度；拋光情況：單拋或雙拋 （<110> Ra<15A，<100>和<111> Ra<5A）。注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。

鋁酸鑭（LaAlO3）晶體在常溫下為三角晶系,其折射率橢球為旋轉(zhuǎn)橢球。

LaAlO3晶體的熔點高,生長大尺寸φ80的LaAlo3晶體溫度梯度一定要合適,既要保證晶體生長的驅(qū)動力,又要避免溫度梯度過大,導(dǎo)致銥坩堝熔化。LaAlO3單晶的應(yīng)用,取決于大尺寸LaAlO3晶體生長。LaAlO3晶體因其與超導(dǎo)、鐵電、Mn氧化物巨磁電阻薄膜等有良好的晶格匹配性能,因而被廣泛地用作生長外延薄膜的襯底材料.

鋁酸鑭（LaAlO3）具有大的禁帶寬度(5-6eV),高的介電常數(shù)值(~25)和很好的熱穩(wěn)定性使其成為替代Si基1金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管中SiO2的zui佳替代材料。鋁酸鑭（LaAlO3）晶體介電常數(shù)和介電損耗隨測量頻率的變化，在1kHz~500MHz的頻率范圍內(nèi),測量溫度為20°C,隨頻率的增加介電常數(shù)略有降低，介電損耗在整個測量頻率范圍內(nèi)小于1ˇ10-3,說明LaAlO3晶體的高頻性能較好。

LaAlo3晶體的顏色與原料的純度有著直接關(guān)系。若采用純度≤99.9%原料或在生長過程中原料被污染,長出的晶體顏色較深,甚至是茶色。但采用高純原料≥99.999%料時,長出的晶體呈淺黃色,且在真空氣氛下退火,顏色更淡,近似白色。因為LaAlO3單晶在微波渡段具有低的介電數(shù)和介電損耗,且對多種鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料晶格匹配好,所以是外延生長高溫超導(dǎo)薄膜和巨磁阻薄膜的極1好襯底材料,長期以來是作為一種襯底材料進行研究。