請(qǐng)問超純水和去離子水是不是一回事？

   制備不同

　　超純水：

　　在原子光譜、高l效液相色譜、超純物質(zhì)分析、痕量物質(zhì)等的某些實(shí)驗(yàn)中，需要用超純水，超純水的制備如下：

　?。?）加入少量高錳l酸鉀的水源，用玻璃蒸餾裝置進(jìn)行二次蒸餾，再以全石英蒸餾器進(jìn)行蒸餾，收集于石英容器中，可得超純水。

　?。?）使用強(qiáng)酸型陽離子和強(qiáng)堿型陰離子交換樹脂柱的混合床或串聯(lián)柱?？沙浞殖ニ械年枴㈥庪x子，其電阻率達(dá)10 Q·cm的水，俗稱去離子水，再用全石英蒸餾器進(jìn)行蒸餾，收集可得超純水。

　　去離子水：

　　去離子水是通過離子交換樹脂除去水中的離子態(tài)雜質(zhì)而得到的近于純凈的水，其生產(chǎn)裝置設(shè)計(jì)的合理與否直接關(guān)系到去離子水質(zhì)量的好壞及運(yùn)營(yíng)的經(jīng)濟(jì)性。

用途不同

　　超純水的用途：

　　電子、電力、電鍍、照明電器、實(shí)驗(yàn)室、食品、造紙、日化、建材、造漆、蓄電池、化驗(yàn)、生物、制藥、石油、化工、鋼鐵、玻璃、化工工藝用水、化學(xué)藥劑、化妝品、單晶硅、半導(dǎo)體晶片切割制造、半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體封裝 、引線柜架、集成電路、液晶顯示器、導(dǎo)電玻璃、顯像管、線路板、光通信、電腦元件 、電容器潔凈產(chǎn)品及各種元器件、高壓變電器的清洗等。4、可以保證24小時(shí)連續(xù)產(chǎn)水，出水質(zhì)量穩(wěn)定，滿足釀酒生產(chǎn)需要。

　　去離子水的用途：

　　實(shí)驗(yàn)室、化驗(yàn)室用水，一般實(shí)驗(yàn)室的常規(guī)試驗(yàn)、配置常備溶液、清洗玻璃器皿等；電子工業(yè)生產(chǎn)，如顯像管玻殼、顯像管、液晶顯示器、線路板、計(jì)算機(jī)硬盤、集成電路芯片、單晶硅半導(dǎo)體等；電力鍋爐，鍋爐所需軟化水、除鹽；

超純水系統(tǒng)膜污染產(chǎn)生的原因

1、離子結(jié)垢

　　在反滲透過程中，給水中的CaCO3、CaSO4、BaSO4等溶解度較小的鹽類被濃縮，致使?jié)馑羞@些鹽類的濃度超過了它們的溶解度而析出，產(chǎn)生沉積物并停留在膜表面及膜孔內(nèi)形成水垢，使膜受到污染，造成反滲透裝置的透水量降低、壓差明顯上升，效率迅速降低。2、為了便于零件的拆卸、更換和清潔，執(zhí)行機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)化、通用化、系統(tǒng)化。

2、二氧化硅沉淀

　　二氧化硅的溶解度受許多因素的影響，如溫度和PH值，且很大的二氧化硅溶解度通常為150mg/L，而許多原水中二氧化硅的含量超過20mg/L。二氧化硅沉淀一旦在膜面上析出，則缺少有效的清除方法。而濃室中由于陰陽離子的不斷截留，成為了電介質(zhì)離子含量不斷升高濃水。因此，為了運(yùn)行安全，應(yīng)嚴(yán)格控制濃水中二氧化硅的濃度，通常以100mg/L作為控制指標(biāo)，在操作運(yùn)行時(shí)不能讓二氧化硅沉淀沉積在反滲透膜上。

超純水設(shè)備EDI損壞原因

　1、EDI膜塊長(zhǎng)期在大電流，低于額定流量情況下運(yùn)行，極板側(cè)積聚的熱量得不到有效散發(fā)，造成EDI接近兩極的膜片和隔網(wǎng)先發(fā)熱變形,EDI濃水壓差增加，水質(zhì)和水量下降，嚴(yán)重會(huì)碳化漏水。

　　2、EDI膜塊長(zhǎng)期沒有清洗保養(yǎng)，EDI的膜片和通道結(jié)垢，進(jìn)出水壓差增加，造成產(chǎn)水水質(zhì)下降，電流無法調(diào)節(jié)，電壓上升。

　　3、超濾系統(tǒng)控制余氯等氧化劑不當(dāng)，進(jìn)EDI氧化劑超量，導(dǎo)致EDI樹脂破碎，堵塞產(chǎn)水通道，水量下降。