Parylene HT，該材料具有更低的介電常數(shù)(即透波性能好)、好的穩(wěn)定性和防水、防霉、防鹽霧性能.短期耐溫可450攝氏度，長(zhǎng)期耐溫

        CVD（Chemical Vapor Deition）法：將對(duì)二和水蒸氣按一定比例混合，經(jīng) 950~1000 °C高溫?zé)峤?，得到?duì)二環(huán)二體(dimer)，隨后，經(jīng)提純的二聚體在 120°C 的升華區(qū)內(nèi)升華，在惰性氣體的推動(dòng)下，二聚體進(jìn)入溫度為 660°C 的裂解區(qū)，高溫下二聚體的分子鍵斷裂，生成活性的對(duì)二活性單體(monomer)，后在惰性氣體氣的推動(dòng)下，活性單體在常溫或較低溫度下的真空沉積室里，在相應(yīng)的基體材料的表面聚合沉積為parylene 薄膜。

       真空防水鍍膜大家十分的了解,大家日常生活許多 東西都鍍上了一層膜,小到小寶寶的奶嘴,大到航空航母。鍍上多一層薄膜,即提高了它的耐用水平,也提高了外觀色彩飽和度,還有應(yīng)用范圍,所以表面上鍍上多一層膜,是十分必要的。近年來(lái)生活水平逐漸的提高,人們對(duì)日常生活質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)愈來(lái)愈高,當(dāng)然對(duì)日常生活各類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)更高。真空防水鍍膜影響著人們的生活習(xí)慣,早已變?yōu)榇蠹胰粘Ｉ畋夭豢缮俚囊徊糠帧?

       真空狀態(tài)下，膜料的熔點(diǎn)溫度和汽化溫度要比在大氣狀態(tài)下低許多 。對(duì)高熔點(diǎn)的氧化物膜料,在真空狀態(tài)下其熔點(diǎn)要低得多。也 就比較容易到汽化溫度而不需太高的能量。真空狀態(tài)下，真空室中空氣非常少,涂料分子從汽化源到達(dá)產(chǎn)品表面上的路途中幾乎不與殘留在真空室中的氣體分子碰撞，即分子自 由程長(zhǎng),涂料比較容易沉積在產(chǎn)品上。因?yàn)檎婵帐抑袣怏w分子少,所以楊分子、硫分子等活潑分子也少,高溫狀態(tài)的涂料分子就不容易與之產(chǎn)生化學(xué)變化,進(jìn)而確保膜層 的涂料純度與均勻。

       與化學(xué)吸附自限制過(guò)程不同，順次反應(yīng)自限制原子層沉積過(guò)程是通過(guò)活性前驅(qū)體物質(zhì)與活性基體材料表面化學(xué)反應(yīng)來(lái)驅(qū)動(dòng)的。這樣得到的沉積薄膜是由于前驅(qū)體與基體材料間的化學(xué)反應(yīng)形成的。圖a和b分別給出了這兩種自限制反應(yīng)過(guò)程的示意圖。由圖可知，化學(xué)吸附自限制過(guò)程的是由吸附前驅(qū)體1（ML2）與前驅(qū)體2（AN2）直接反應(yīng)生成MA原子層（薄膜構(gòu)成），主要反應(yīng)可以以方程式⑴表示。對(duì)于順次反應(yīng)自限制過(guò)程首先是活化劑（AN）活化基體材料表面；然后注入的前驅(qū)體1（ML2）在活化的基體材料表面反應(yīng)形成吸附中間體（AML），這可以用反應(yīng)方程式⑵表示。反應(yīng)⑵隨著活化劑AN的反應(yīng)消耗而自動(dòng)終止，具有自限制性。當(dāng)沉積反應(yīng)前驅(qū)體2（AN2）注入反應(yīng)器后，就會(huì)與上述的吸附中間體反應(yīng)并生成沉積原子層。

       對(duì)于在太空飛行的航天器來(lái)講，真空是一個(gè)天然的、現(xiàn)實(shí)的外部環(huán)境，為真空絕緣應(yīng)用提供了的自然條件。通過(guò)派瑞林真空氣相鍍膜保護(hù)技術(shù)，對(duì)實(shí)際的產(chǎn)品進(jìn)行了絕緣設(shè)計(jì)及工藝驗(yàn)證。結(jié)果表明，采用真空氣相沉積工藝在電極表面涂敷一定厚度的Parylene涂層，可以更好地滿足產(chǎn)品在真空環(huán)境下的絕緣防護(hù)性能要求。

       真空絕緣是基于空氣擊穿放電的機(jī)理，不同于固體或液體絕緣，因其本身的”真空”，缺少足夠的可以移動(dòng)的離子，也不會(huì)受到材料老化影響，不會(huì)受到機(jī)械、熱、化學(xué)、濕度、輻射等因素的影響，這是在應(yīng)用時(shí)的天然形成的許多優(yōu)點(diǎn)，正是基于這些優(yōu)點(diǎn)，分析認(rèn)為更符合在空間環(huán)境中應(yīng)用的高電壓電子產(chǎn)品。