大功率半導(dǎo)體器件為何有老化的問題？

任何產(chǎn)品都有設(shè)計(jì)使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護(hù)，延長產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運(yùn)行具有極為重要。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會(huì)加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

測(cè)試大功率元件應(yīng)用范例說明？

2011年，我們?cè)谏钲诘罔F運(yùn)營公司前海車輛段大修車間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測(cè)試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測(cè)，也有全新的IGBT，量測(cè)結(jié)果完全合乎出廠規(guī)格.對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無法測(cè)試給機(jī)車在使用帶來的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問題。用戶能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y(cè)試電路通態(tài)壓降測(cè)試電路 。

5、感性負(fù)載

5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部電感成陣列的內(nèi)部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計(jì)算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。

6、標(biāo)準(zhǔn)的雙控制極驅(qū)動(dòng)

6.1 門極電阻可人工預(yù)先設(shè)定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 開啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge ： 15V；

6.3 關(guān)斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；

6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時(shí)間）；

6.5 電壓開關(guān)時(shí)間： < 50ns；

6.6 輸出內(nèi)阻： < 0.5Ω；

2.4短路技術(shù)條件 1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V 2、一次短路電流：20000A 500～1000A±3%±2A 1000A～5000A±2%±5A 5000A～20000A±2%±10A 3、tp：5-30us 2.5雪崩技術(shù)條件 1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度：40—1000uS可設(shè)定 5、測(cè)試頻率：單次 2.6 NTC測(cè)試技術(shù)條件 阻值測(cè)量范圍：0～20KΩ