KOAN晶體如需減小驅(qū)動(dòng)功率，可以采取以下措施: 增加阻尼電阻或減小外部負(fù)載電容。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會(huì)減小，實(shí)際驅(qū)動(dòng)功率也將減小。振蕩幅度也隨之減小。但應(yīng)保證振蕩裕量超過 Re 的 5 倍；減小外部負(fù)載電容，振蕩電路阻抗將會(huì)增加，實(shí)際驅(qū)動(dòng)功率將會(huì)減小。而負(fù)載電容減小，實(shí)際振蕩頻率將會(huì)增加，如果震蕩頻率超出使用范圍，可考慮低負(fù)載晶體配合調(diào)整。

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KOAN 晶體采用不同大小激勵(lì)功率測(cè)試以提高穩(wěn)定性

弛豫效應(yīng)：加在晶片上的機(jī)械應(yīng)力隨時(shí)間的推移而松弛時(shí)，會(huì)引起頻率的漂移，因此要選擇合適的激勵(lì)功率，使晶片的自身應(yīng)力和電極施于晶片的應(yīng)力發(fā)生變化，應(yīng)力的變化又導(dǎo)致因應(yīng)力弛豫效應(yīng)引起的老化速率發(fā)生變化。另外，激勵(lì)功率變化，將引起晶片振幅的變化，從而改變晶片上質(zhì)量遷移引起的老化速率，可能抵消兩種老化速率。

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KOAN 圓柱晶體 （kHz & MHz ）修改彎曲引腳注意事項(xiàng)

在修改彎曲引腳時(shí)，應(yīng)該避免強(qiáng)制拔出。否則會(huì)引起 4.玻璃珠的裂掉，因而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度下降，從而影響產(chǎn)品的特性。正確做法是：壓住外殼基測(cè)的引腳，從上下方壓住彎曲的部位進(jìn)行修改。在彎曲引腳時(shí)，引腳要留下距離外殼 0.5mm 的直線部位。如果不留出，將會(huì)導(dǎo)致玻璃珠的裂掉。在引腳焊接完畢之后再將引腳彎曲時(shí)，需要留出大于外殼直徑長度的空閑部分

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