鍍膜技術(shù)在集成電路制造中的應(yīng)用 晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。可見氣相沉積術(shù)制備集成電路的核心技術(shù)之一。

真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。

真空鍍膜的操作規(guī)程

1．在真空鍍膜機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)正常情況下，開動真空鍍膜機(jī)時，須先開水管，工作中應(yīng)注意水壓。

2．在離子轟擊和蒸發(fā)時，應(yīng)特別注意高壓電線接頭，不得觸動，以防觸電。

3．在用電子槍鍍膜時，應(yīng)在鐘罩外圍上鋁板。觀察窗的玻璃用鉛玻璃。

4．鍍制多層介質(zhì)膜的鍍膜間，應(yīng)安裝通風(fēng)吸塵裝置，及時排除有害粉塵。

5．有毒物品要妥善保管，以防。

6．酸洗夾具應(yīng)在通風(fēng)裝置內(nèi)進(jìn)行，并要戴橡皮手套。

7．把零件放入酸洗或堿洗槽中時，應(yīng)輕拿輕放，不得碰撞及濺出。平時酸洗槽盆應(yīng)加蓋。

8．工作完畢應(yīng)斷電、斷水。

真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。

在鍍膜領(lǐng)域，鍍膜后薄膜樣品的厚度是影響薄膜性能的一個重要因素。因此，當(dāng)評價薄膜樣品的性能時，需要檢測該薄膜樣品不同厚度下的性能。對于真空鍍膜的情形，這往往需要進(jìn)行多次試樣的制備。