?！癯跫?jí)與次級(jí)主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會(huì)更有利。●開(kāi)關(guān)電源在MOSFET-D端點(diǎn)工作時(shí)候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點(diǎn)），在變壓器繞制時(shí)建議將他繞在變壓器的個(gè)繞組，并作為起點(diǎn)端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的?！馰CC繞組在計(jì)算其圈數(shù)時(shí)盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因?yàn)閱?dòng)前電流是非常小的，所以這個(gè)電阻并沒(méi)有多少影響，幾乎可以忽略不計(jì)。

35.傳導(dǎo)整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用 36.輻射整改，分段處理經(jīng)驗(yàn)，如下圖，適合一些新手工程師，提供一個(gè)參考的方向，有些情況并不是能直接套用，的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機(jī)理。 37.關(guān)于PCB碰到的問(wèn)題，如圖，為什么99SE畫(huà)板覆銅填充的時(shí)候填不滿這個(gè)位置？像是有死銅一樣D1這個(gè)元件有個(gè)文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖 把它放到頂層絲印后，解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對(duì)傳導(dǎo)，線屏蔽主要針對(duì)輻射，當(dāng)傳導(dǎo)非常好的時(shí)候，有可能你的輻射會(huì)差，這個(gè)時(shí)候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽，盡量壓低30M下降的位置，這樣整改輻射會(huì)快很多。 EMI整改技巧之一 39.測(cè)試輻射的時(shí)候，多帶點(diǎn)不同品牌的MOS、肖特基。


圖一b（230Vac） 圖一b可以看到，輸入電壓在230Vac測(cè)試時(shí)，65M和83M位置有點(diǎn)頂線（紅色線）圖一b-1（230Vac） 原邊吸收電容由471P加大到102P，65M位置壓下來(lái)一點(diǎn)，后面還是有點(diǎn)高，如圖一b-1所示； 圖一b-2（230Vac） 變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30Ts）,后面完全衰減，如圖一b-2； 圖一b-3（115Vac） 115Vac輸入測(cè)試，后面150M又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火??！看來(lái)這招不行； 圖一b-4（115Vac） 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9Ts改成1.3Ts），效果不錯(cuò)，如圖一b-4所示。 圖一b-5（230Vac） 115Vac輸入測(cè)試，測(cè)試通過(guò)。結(jié)論：一：變壓器出線需做到不交叉；二：Y電容回路走線越短越好先經(jīng)過(guò)變壓器地再回到大電容地，不與其它信號(hào)線交叉；