IGBT測(cè)試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的國家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測(cè)試 VF： 0-5V±2%±0。 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，在IGBT的檢測(cè)中，采用大電流脈沖對(duì)IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，解決IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)問題。

現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。400~20000nCtd(on)、td(off)開通/關(guān)斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns。

2.7測(cè)試夾具 1、控制方式：氣動(dòng)控制 2、控溫范圍：室溫—150℃ 室溫—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3% 3、電源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W 4、夾具能安裝不同規(guī)格的適配器，以測(cè)試不同規(guī)格的器件，不同模塊需要配備不同的適配器，設(shè)備出廠時(shí)配備62mm封裝專用測(cè)試夾具、EconoPACK3封裝專用測(cè)試夾具、34mm封裝專用測(cè)試夾具各一套，但需甲方提供適配器對(duì)應(yīng)器件的外形圖；3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3。 2.8環(huán)境要求 環(huán)境溫度：15～35℃ 相對(duì)濕度：小于70% 大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa 壓縮空氣：不小于0.4MPa 電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波，三線制 電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz