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ASEMI肖特基二極管MBR40200PT，電性參數(shù)為40A200V,TO-247/3P封裝，芯片采用俄羅斯進(jìn)口Mikron芯片，鐳射激光打標(biāo)，不易退色；黑膠材質(zhì)為進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料，包封穩(wěn)定性強(qiáng)，其引腳為無氧銅，抗彎曲、減少氧化、高導(dǎo)電性。

ASEMI肖特基二極管，每一道工序都在嚴(yán)格的監(jiān)控下生產(chǎn)制造。所生產(chǎn)出來的肖特基二極管產(chǎn)品，已過嚴(yán)格檢驗(yàn)測試方可出廠，確保沒有不良品。因?yàn)锳SEMI相信，客戶是懂產(chǎn)品的?？蛻粝嘈臕SEMI的品牌與品質(zhì)，才會下單。

ASEMI肖特基二極管MBR30100FCT

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ASEMI肖特基二極管MBR30100FCT是一種低功耗、高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，具有反向恢復(fù)時(shí)間短，速度快，有效防止浪涌，減少開通瞬間的功耗等功能。其封裝為：TO-220；電性參數(shù)正向電流為30A，反向耐壓為100V；正向峰值浪涌電流為200A，反向恢復(fù)時(shí)間：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.

ASEMI肖特基MBR60200PT

ASEMI肖特基MBR60200PT的外觀，本節(jié)我們以它為列，通過講解其各項(xiàng)參數(shù)，會讓你對整個(gè)肖特基產(chǎn)品系列有一個(gè)更深入的了解，為了更直觀方便的說明，我們以MBR60200PT的規(guī)格書為模板進(jìn)行解說：

下圖截取的就是肖特基MBR60200PT參數(shù)頁面文檔，我們會自上而下逐條講解每個(gè)參數(shù)所代表的意義及作用

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重復(fù)峰值電壓

Average Rectified Forward Current ——平均整流正向電流

Typical Thermal Resistance (per leg)——典型熱阻（每條腿)

Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌電流

Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重復(fù)浪涌電流

Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——電壓變化率（額定VR）

Operating Junction Temperature—— 工作溫度

Storage Temperature ——儲存溫度