3、技術指標 * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；150～3300VIc集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A。

?航空、電子信息等領域——應用本公司測試系統(tǒng)可對所應用到的元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩(wěn)定性、可靠性；

?機車、汽車、船舶控制系統(tǒng)生產廠——應用本公司測試系統(tǒng)可對所應用到的元器件，尤其對

?現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩(wěn)定性、可靠性；

?水力、電力控制系統(tǒng)生產廠——應用本公司測試系統(tǒng)可對所應用到的元器件，尤其對現(xiàn)代新

?型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試測試、篩選、分析，

?以確保出廠產品的穩(wěn)定性、可靠性。

?優(yōu)勢行業(yè)：電力設備、地鐵、鐵路動力車組和運用大功率半導體器件進行設計、制造的行業(yè)。

7、測量配置

7.1 示波器：美國泰克新5系混合信號示波器（MSO），帶寬500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速電流探頭；

7.3 高壓差分探頭。

8、測試參數(shù)應包括

8.1 開通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；

8.2 關斷：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；

8.3 反向恢復 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；

8.4 柵電荷：采用恒流驅動，電流可調范圍：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模塊)測試：0-20KΩ；

8.8 主要測試參數(shù)精度偏差 ：< 3 % 。

9）尖峰抑制電容 用于防止關斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 11）動態(tài)測試續(xù)流二極管 用于防止測試過程中的過電壓。 ?反向電壓 8000V(2只串聯(lián)) ?-di/dt大于2000A/μs ?通態(tài)電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復時間小于2μs ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 12）安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯(lián)) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通態(tài)電流 1200A ?01～50mA集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V。壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復時間 小于2μS ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%