LED外延片工藝流程

LED 外延片工藝流程如下：

襯底 - 結(jié)構(gòu)設計- 緩沖層生長- N型GaN 層生長- 多量i子阱發(fā)光層生- P 型GaN 層生長- 退火- 檢測（光熒光、X 射線） - 外延片；

外延片- 設計、加工掩模版- 光刻- 離子刻蝕- N 型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - P 型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - 劃片- 芯片分檢、分級

具體介紹如下：

固定：將單晶硅棒固定在加工臺上。

切片：將單晶硅棒切成具有精i確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。

退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應，使硅片表面形成二氧化硅保護層。

倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破i裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。

分檔檢測：為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量，對其進行檢測。此處會產(chǎn)生廢品。

研磨：用磨片i劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。此過程產(chǎn)生廢磨片i劑。

清洗：通過有機i溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機廢氣和廢有機i溶劑。

RCA清洗：通過多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。

LED大功率芯片一般指多大面積的芯片?

用于白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。

由于量i子效率一般小于20%大部分電能會轉(zhuǎn)換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要，要求芯片有較大的面積。

制造GaN外延材料的芯片工藝和加工設備與GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?為什么?

普通的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半導體材料，一般都可以做成N型襯底。

采用濕法工藝進行光刻，較為后用金剛砂輪刀片切割成芯片。

GaN材料的藍綠芯片是用的藍寶石襯底，由于藍寶石襯底是絕緣的，所以不能作為LED的一個極，必須通過干法刻蝕的工藝在外延面上同時制作P/N兩個電極并且還要通過一些鈍化工藝。由于藍寶石很硬，用金剛砂輪刀片很難劃成芯片。

它的工藝過程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而復雜。

什么是“倒裝芯片?它的結(jié)構(gòu)如何?有哪些優(yōu)點?

藍光LED通常采用Al2O3襯底，Al2O3襯底硬度很高、熱導率和電導率低，如果采用正裝結(jié)構(gòu)，一方面會帶來防靜電問題，另一方面，在大電流情況下散熱也會成為較為主要的問題。

同時由于正面電極朝上，會遮掉一部分光，發(fā)光效率會降低。

大功率藍光LED通過芯片倒裝技術(shù)可以比傳統(tǒng)的封裝技術(shù)得到更多的有效出光。

現(xiàn)在主流的倒裝結(jié)構(gòu)做法是：首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍光LED芯片，同時制備出比藍光LED芯片略大的硅襯底，并在上面制作出供共晶焊接的金導電層及引出導線層(超聲金絲球焊點)。

然后，利用共晶焊接設備將大功率藍光LED芯片與硅襯底焊接在一起。

這種結(jié)構(gòu)的特點是外延層直接與硅襯底接觸，硅襯底的熱阻又遠遠低于藍寶石襯底，所以散熱的問題很好地解決了。

由于倒裝后藍寶石襯底朝上，成為出光面，藍寶石是透明的，因此出光問題也得到解決。

以上就是LED技術(shù)的相關(guān)知識，相信隨著科學技術(shù)的發(fā)展，未來的LED燈回越來越高i效，使用壽命也會由很大的提升，為我們帶來更大便利。

LED芯片的分類——MB芯片

LED芯片的分類有哪些呢？

MB芯片定義與特點

定義：metal Bonding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的專i利產(chǎn)品。

特點：

(1)采用高散熱系數(shù)的材料---Si作為襯底，散熱容易。Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K。

(2)通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。

(3)導電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數(shù)相差3~4倍)，更適應于高驅(qū)動電流領域。

(4)底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。

(5)尺寸可加大，應用于High power領域，eg:42mil MB。