三線傳感器CCD：在三線傳感器中，三排并行的像素分別覆蓋RGB濾鏡，當(dāng)彩片時,完整的彩片由多排的像素來組合成。三線CCD傳感器多用于數(shù)碼相機，以產(chǎn)生高的分辨率和光譜色階。

交織傳輸CCD：這種傳感器利用單獨的陣列攝取圖像和電量轉(zhuǎn)化，允許在拍攝下一圖像時在讀取當(dāng)前圖像。交織傳輸CCD通常用于低端數(shù)碼相機、攝像機和拍攝動畫的廣播拍攝機。

假設(shè)電荷存儲在電極①(加有10V電壓)下面的勢阱中，如圖2(a)所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，Vth稱為CCD閾值電壓，設(shè)Vth=2V。所以每個電極下面都有一定深度的勢阱。顯然，電極①下面的勢阱深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時，①、②兩個電極下面的勢阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲在電極①下面的電荷就要在兩個電極下面均勻分布，(b)和(c)所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢阱深度降低，(d)和(e)所示，這時電荷全部轉(zhuǎn)移到電極②下面的勢阱中，此過程就是電荷從電極①到電極②的轉(zhuǎn)移過程。如果電極有許多個，可將其電極按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時序的驅(qū)動脈沖，即可完成電荷從左向右轉(zhuǎn)移的過程。用3相時鐘驅(qū)動的CCD稱為3相CCD。

CMOS傳感器的圖像采集方式為主動式，感光二極管所產(chǎn)生的電荷會直接由晶體管放大輸出，但CCD傳感器為被動式采集，需外加電壓讓每個象素中的電荷移動，而此外加電壓通常需要達到12~18V；因此，CCD傳感器除了在電源管理電路設(shè)計上的難度更高之外(需外加 power IC)，高驅(qū)動電壓更使其功耗遠高于CMOS傳感器的水平。舉例來說，OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下運行，功耗僅為40mW；而致力于低功耗CCD傳感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等級的產(chǎn)品，其功耗卻仍保持在90mW 以上。因此CCD發(fā)熱量比CMOS大，不能長時間在陽光下工作。