主要參數(shù) 測(cè)試范圍 精度要求 測(cè)試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開(kāi)通/關(guān)斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時(shí)間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開(kāi)通/關(guān)斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

14）工控機(jī)及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?機(jī)箱：4Μ 15槽上架式機(jī)箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內(nèi)存4G；

?3個(gè)5.25”和1個(gè)3.5”外部驅(qū)動(dòng)器；

?集成VGA顯示接口、4個(gè)PCI接口、6個(gè)串口、6個(gè)ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動(dòng)態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測(cè)試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動(dòng)態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測(cè)試需求

?狀態(tài)監(jiān)測(cè)：NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機(jī)：基于Labview人機(jī)界面

?數(shù)據(jù)提取：測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動(dòng)態(tài)測(cè)試波形可存儲(chǔ)為數(shù)據(jù)格式；所檢測(cè)數(shù)據(jù)可傳遞至上位機(jī)處理；從檢測(cè)部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機(jī)處理后可自動(dòng)列表顯示相應(yīng)測(cè)試數(shù)據(jù)；?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測(cè)部分內(nèi)容可擴(kuò)展

3.1開(kāi)通時(shí)間Ton測(cè)試原理框圖 圖3-1開(kāi)通時(shí)間測(cè)試原理框圖 其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測(cè)器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測(cè)器件 開(kāi)通時(shí)間定義（見(jiàn)下圖）：柵極觸發(fā)信號(hào)第二個(gè)脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時(shí)間間隔為開(kāi)通延遲時(shí)間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時(shí)間間隔即為電流上升時(shí)間tr ，則ton= td （on） tr