政策扶持

為促進我國光刻膠產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家02重大專項給予了大力支持。今年5月，02重大專項實施管理辦公室組織任務驗收組、財務驗收組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術(shù)研究”項目的任務驗收和財務驗收。

據(jù)悉，經(jīng)過項目組全體成員的努力攻關(guān)，完成了EUV光刻膠關(guān)鍵材料的設(shè)計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發(fā)，達到了任務書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標。項目共申請發(fā)明15項（包括國際5項），截止到目前，共獲得授權(quán)10項（包括國際授權(quán)3項）。A據(jù)我所知，F(xiàn)uturrex有幾款膠很，NR7-1500PNR7-3000P是專門為離子蝕刻設(shè)計的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。

光刻膠市場

據(jù)統(tǒng)計資料顯示，2017年中國光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達到7.56萬噸，較2016年增加0.29萬噸，其中，中國本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬噸，與7.99萬噸的需求量差異較大，說明我國供給能力還需提升。

國內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域，代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。

在半導體應用領(lǐng)域，隨著汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展，會在一定程度上增加對G線、I線的需求，利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。預計G線正膠今后將占據(jù)50%以上市場份額，I線正膠將占據(jù)40%左右的市場份額，DUV等其他光刻膠約占10%市場份額，給予北京科華、蘇州瑞紅等國內(nèi)公司及美國futurrex的光刻膠較大市場機會。光刻膠編碼HS編碼:3707100001[類注]|[章注]|[子目注釋]中文描述:不含銀的感光乳液劑（CIQ碼：301:液體）英文描述:Non--0--silverlight-sensitiveemulsionagent申報要素:0。

光刻膠國內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國際水平差距的原因很多。隨著光刻分辨力的提高，對準精度要求也越來越高，例如針對45am線寬尺寸，對準精度要求在5am左右。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應用研究。目前，整個產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強，前后兩端弱，核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學、信越化學等日本企業(yè)所壟斷。

光刻膠的主要技術(shù)指標有解析度、顯影時間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項技術(shù)指標都很重要，必須全部指標達到才能使用。因此，國外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對中國長期保密。中國的研發(fā)技術(shù)有待進一步發(fā)展

NR9-3000PYNR9 1500PY光刻膠價格

三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。2μmResistThicknessNR71-1000PY0。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對紫外光敏感的有機高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動。

涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細程度。為了保證線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm(對于1。太厚膠會導致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結(jié)構(gòu)制造，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等，這些因素的穩(wěn)定性很重要。

在工藝發(fā)展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現(xiàn)，負膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠，但正膠的缺點是粘結(jié)能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉(zhuǎn)?！秶壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，提出“研發(fā)光刻機、刻蝕機、離子注入機等關(guān)鍵設(shè)備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結(jié)合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。