磁控濺射鍍膜機

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ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO 薄膜時,由于濺射過程中作為反應氣體的氧會和靶發(fā)生很強的電化學反應,靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶zhong毒”) ,以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出的ITO 膜。也就是說,采用合金靶磁控濺射時,工藝參數的窗口很窄且極不穩(wěn)定。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應物按所需的化學配比穩(wěn)定地成膜,故無zhong毒現象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。但這不等于說陶瓷靶解決了所有的問題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數的影響,不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠。濺射鍍膜機濺射鍍技術應用蒸發(fā)鍍應用新型電極引入裝置，接觸電阻小且可靠。因此,開展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數的優(yōu)化研究很有意義。

磁控濺射鍍膜機工藝

關鍵工藝參數的優(yōu)化

關鍵工藝參數的優(yōu)化基于實驗探索。實驗是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設備上進行的。該設備的鍍膜室采用內腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統(tǒng)采用兩套K600 擴散泵機組,靶材采用德國Leybold 公司生產的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。創(chuàng)世威納——專業(yè)生產、銷售磁控濺射鍍膜機，我們公司堅持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽，以產品求發(fā)展，以質量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

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磁控濺射鍍膜機的優(yōu)勢

1.實用性：設備集成度高，結構緊湊，占地面積小，可以滿足客戶實驗室空間不足的苛刻條件；通過更換設備上下法蘭可以實現磁控與蒸發(fā)功能的轉換，實現一機多用；

2.方便性：設備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接線及安裝調試簡單，既保證了設備使用方便又保證了設備的整潔；

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磁控濺射法的優(yōu)勢

目前常用的制備CoPt 磁性薄膜的方法是磁控濺射法。磁控濺射法是在高真空充入適量的ya氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電，使ya氣發(fā)生電離。ya離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質的靶和控制不同的濺射時間，便可以獲得不同材質和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

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