在真空條件下成膜有很多優(yōu)點(diǎn)：可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過(guò)程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)（如氧化等），以及減少成膜過(guò)程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。沖壓、鑄造都是工件加工的重要手段，這兩項(xiàng)工藝都能在汽車制造領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用，不管是沖壓件加工還是鑄造件，對(duì)于汽車車身質(zhì)量來(lái)說(shuō)，都是保證的基礎(chǔ)。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa，對(duì)于蒸發(fā)源與基板距離較遠(yuǎn)和薄膜質(zhì)量要求很高的場(chǎng)合，則要求壓力更低。

蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長(zhǎng)摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負(fù)半周分別打到絕緣靶上。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當(dāng)它被加熱到一定溫度時(shí)，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動(dòng)，按基片晶格次序生長(zhǎng)結(jié)晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計(jì)量比的高純化合物單晶膜，薄膜較慢生長(zhǎng)速度可控制在1單層／秒。通過(guò)控制擋板,可精準(zhǔn)地做出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。

基片裝在接地的電極上，絕緣靶裝在對(duì)面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過(guò)匹配網(wǎng)絡(luò)和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。沖壓件加工生產(chǎn)中的在線分區(qū)檢查和抽取檢查為了提高工件的合格率，需要通過(guò)目視、工具等來(lái)進(jìn)行分區(qū)檢查，同時(shí)還要對(duì)各個(gè)生產(chǎn)階段的沖壓件進(jìn)行抽查，以便于更好的控制整體質(zhì)量。接通高頻電源后，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負(fù)半周分別打到絕緣靶上。由于電子遷移率高于正離子，絕緣靶表面帶負(fù)電，在達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，靶處于負(fù)的偏置電位，從而使正離子對(duì)靶的濺射持續(xù)進(jìn)行。采用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個(gè)數(shù)量級(jí)。

銑削時(shí)，嘗試使用外圓角或球形立銑刀代替平面立銑刀。具有圓角半徑的東西將使您在尖角處獲得更高的光潔度，并且肯定有助于延長(zhǎng)我們刀具壽命。

嘗試刮水器插入：盡可能。刮水器插入件具有與刀尖半徑相鄰的平坦區(qū)域。當(dāng)工具沿著工件進(jìn)給時(shí)，這個(gè)平面實(shí)際上“擦拭”了光潔度，并且有助于消除更快進(jìn)給率可能遇到的線狀光潔度- 這允許使用更小的TNR來(lái)幫助控制顫振。