公司產(chǎn)品包括石英掩膜版，蘇打掩膜版，以及菲林版。蘇州制版根據(jù)客戶的構(gòu)想、草圖，定制版圖，蘇州制版提供高質(zhì)量掩膜版以及后期的代加工服務(wù)！

蝕刻工藝通常稱為版

刻蝕（Etch）是按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性刻蝕的技術(shù)，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。集成電路（英語：integratedcircuit，縮寫：IC。是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝?？涛g分為干法刻蝕和濕法腐蝕。原位芯片目前掌握多種刻蝕工藝，并會根據(jù)客戶的需求，設(shè)計(jì)刻蝕效果好且性價比高的刻蝕解決方案。

光刻板本體的外部邊緣增設(shè)一保護(hù)環(huán)，保護(hù)環(huán)具有多種開孔，以便在保護(hù)環(huán)處的硅片的邊緣處刻出晶粒，將光刻板本體處的硅片保護(hù)起來，硅片邊緣刻出晶粒后，邊緣的不合格情況通過目測可以清楚看出，能有效防止混料情況；利用本實(shí)用新型刻出的硅片，在高壓測試時，能防止漏電打火，安全性能具有較大提高。利用本實(shí)用新型刻出的硅片，在高壓測試時，能防止漏電打火，安全性能具有較大提高

使用無掩模光刻機(jī)讀取版圖文件，對帶膠的空白掩膜版進(jìn)行非接觸式曝光（曝光波長405nm），照射掩膜版上所需圖形區(qū)域，使該區(qū)域的光刻膠（通常為正膠）發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)

經(jīng)過顯影、定影后，曝光區(qū)域的光刻膠溶解脫落，暴露出下面的鉻層

刻蝕或離子注入完成后，將進(jìn)行光刻的后一步，即將光刻膠去除，以方便進(jìn)行半導(dǎo)體器件制造的其他步驟。通過光刻制版工藝，將微米級和納米級的精細(xì)圖案刻制于掩膜版基板上從而制作成掩膜版。通常，半導(dǎo)體器件制造整個過程中，會進(jìn)行很多次光刻流程。生產(chǎn)復(fù)雜集成電路的工藝過程中可能需要進(jìn)行多達(dá)50步光刻，而生產(chǎn)薄膜所需的光刻次數(shù)會少一些。