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發(fā)布時(shí)間:2021-09-13 19:38  
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而在電路未啟動(dòng)之前,由于高壓端啟動(dòng)電阻的充電,可以將VCC上電容上的電壓充到IC啟動(dòng)的電壓,一旦電路有問題一下啟動(dòng)不了VCC由于繞組電壓的預(yù)設(shè)值偏低。電路也是不會(huì)啟動(dòng)的,一般表現(xiàn)為嗝狀態(tài)。●為何要按照IC的工作電壓低端取值?因?yàn)槲覀兇渭?jí)繞組是與初級(jí)繞組相鄰繞制的,耦合效果相對(duì)而言是的。我們做短路試驗(yàn)也是做次級(jí)的輸出短路,因?yàn)轳詈闲Ч?,次?jí)短路時(shí)VCC在經(jīng)過短暫的上沖后會(huì)快速降低,降到IC的關(guān)閉電壓時(shí)電路得到的保護(hù)。需要注意這個(gè)電壓需要高于MOSFET飽和導(dǎo)通1V以上,避免驅(qū)動(dòng)不足。
理由:開關(guān)管工作時(shí)容易干擾到背部的芯片,造成系統(tǒng)不穩(wěn)定,其它高頻器件同理 60.輸出的DC線在PCB設(shè)計(jì)時(shí),要設(shè)計(jì)成長短一至,焊盤孔間隔要小。 理由:SR的尾部留長是一樣長的,當(dāng)兩個(gè)焊盤孔間隔太遠(yuǎn)時(shí),會(huì)造成不方便生產(chǎn)焊接 61.MOS管、變壓器遠(yuǎn)離AC端,改善EMI傳導(dǎo)。 理由:高頻信號(hào)會(huì)通過AC端耦合出去,從而噪聲源被EMI設(shè)備檢測(cè)到引起EMI問題 62.驅(qū)動(dòng)電阻應(yīng)靠近MOS管。 理由:增加抗干擾能力,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性