磁珠器主要特性參數(shù)

DC電阻(mohm):直流電流通過磁珠時磁珠的電阻值。

額定電流(mA):表示磁珠正常工作時允許電流。

阻抗[Z]@ 100兆赫茲(歐姆):這是指交流阻抗。

阻抗-頻率特性:描述阻抗值隨頻率變化的曲線。

電阻-頻率特性:描述電阻值隨頻率變化的曲線

感抗-頻率特性:描述感抗隨頻率變化的曲線。

鐵氧體芯片珠

尺寸:1005 (0402)1608(0603)2012(0805)

產(chǎn)品規(guī)格命名方法:

CMBM(CMBH) 1005/1608/2012 G 601標準普爾

磁珠的選用與應用

當吸收電磁干擾的磁環(huán)/磁珠抑制差模干擾時，通過它的電流與其體積成正比，這會導致飽和并降低元件的性能。當共模干擾被抑制時，電源的兩根導線(正極和負極)同時通過磁環(huán)，有效信號為差模信號，吸收電磁干擾的磁環(huán)/磁珠對其沒有影響，但對共模信號表現(xiàn)出較大的電感。使用磁環(huán)還有一個更好的方法，就是讓穿過磁環(huán)的導線反復纏繞幾次，以增加電感。根據(jù)其對電磁干擾的抑制原理，可以合理利用其抑制效果。

鐵氧體抑制元件應安裝在干擾源附近。對于輸入/輸出電路，盡可能靠近屏蔽罩的入口和出口。對于由鐵氧體磁環(huán)和磁珠組成的吸收濾波器，除了選擇高磁導率的損耗材料外，還應注意其應用。它們對電路中高頻元件的電阻大約是十到幾百歐姆，所以它在高阻抗電路中的作用并不明顯，相反，它在低阻抗電路(如配電、電源或射頻電路)中會非常有效。

磁珠的選用

承前：從去耦半徑出發(fā)，通過去耦半徑的計算，讓大家直觀的看到我們常見的電容的“有效范圍”問題。

本節(jié)：討論濾波電容的位置與PDN阻抗的關系，提出“全局電容”與“局部電容”的概念。能看到當電容呈現(xiàn)“全局特性”的時候，電容的位置其實沒有想象中那么重要。

啟后：多層板設計的時候，電容傾向于呈現(xiàn)“全局特性”，“電源加磁珠”的設計方法，會影響電容在全局范圍內(nèi)起作用。同時電源種類太多，還會帶來其他設計問題。

通過上一篇文章，我們知道平常“耳熟能詳”的電容去耦半徑理論，對PCB設計其實沒有什么指導意義。0.1uf的電容去耦半徑足夠大，設計中參考這個值沒有用處，工程師還是會“盡量”把0.1uf電容靠近芯片的電源管教放置。PCB設計師需要更有效的理論來指導電容的布局設計。

既然簡單的用四分之一波長理論推算的電容去耦半徑不起作用，那么電容放置得離芯片電源管腳比較遠，還會有哪些影響呢？很多人都答對了，影響安裝電感。