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鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對膜層沉積的影響 ：

靶功率；由于溫，蒸發(fā)料粒子獲得一定動能，則沿著視線方向徐徐上升，最后附著于工件表面上堆積膜。磁控濺射本身粒子初始動能比較小，離化率低，電源功率越大，濺射出的粒子的初始能量越大，靶材濺射量也越大，沉積速率越快，膜層容易上厚度和硬度，同時工件溫升也大，過高的功率會使沉積速率太快，粒子來不及表面遷移和擴散，易形成陰影效應，膜層會比較疏松，應力較大。

靶基距：靶基距是影響成膜速率的重要因素之一，隨著靶基距增加，被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數(shù)增多，同時等離子體密度也減弱，動能減少，沉積速率降低，但膜層外觀較好。靶基距太小，沉積太快，工件溫升大，膜層外觀差。

常見的濺射有兩種：不反應濺射和反應濺射。不反應濺射指濺射氣體和鍍膜材料之間不發(fā)生化學反應。因此不反應濺射所使用的氣體為惰性氣體，一般使用y氣（Ar），稱為工作氣體。不反應濺射一般都用在鍍金屬膜層上，導電性能越好的材料，濺射速率越高。