存儲器

構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)（按字節(jié)編址）。每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進制表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲容量。假設(shè)一個存儲器的地址碼由20位二進制數(shù)（即5位十六進制數(shù)）組成，則可表示2的20次方，即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個字節(jié)，則該存儲器的存儲容量為1MB。

串行存儲器和并行存儲器

在定義了應(yīng)用系統(tǒng)之后，微控制器的選擇是決定選擇串行或并行存儲器的一個因素。對于較大的應(yīng)用系統(tǒng)，微控制器通常沒有足夠大的內(nèi)部存儲器，這時必須使用外部存儲器，因為外部尋址總線通常是并行的，外部的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器也將是并行的。

較小的應(yīng)用系統(tǒng)通常使用帶有內(nèi)部存儲器但沒有外部地址總線的微控制器。如果需要額外的數(shù)據(jù)存儲器，外部串行存儲器件是很好的選擇。大多數(shù)情況下，這個額外的外部數(shù)據(jù)存儲器是非易失性的。

根據(jù)不同的設(shè)計，引導(dǎo)存儲器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器沒有內(nèi)部存儲器，并行的非易失性存儲器件對大多數(shù)應(yīng)用系統(tǒng)而言是正確的選擇。但對一些高速應(yīng)用，可以使用外部的非易失性串行存儲器件來引導(dǎo)微控制器，并允許主代碼存儲在內(nèi)部或外部高速SRAM中。

盡管我們幾乎可以使用任何類型的存儲器來滿足嵌入式系統(tǒng)的要求，但終端應(yīng)用和總成本要求通常是影響我們做出決策的主要因素。有時，把幾個類型的存儲器結(jié)合起來使用能更好地滿足應(yīng)用系統(tǒng)的要求。例如，一些PDA設(shè)計同時使用易失性存儲器和非易失性存儲器作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。把程序保存在非易失性ROM中，而把由用戶下好的程序和數(shù)據(jù)存儲在有電池支持的易失性DRAM中。不管選擇哪種存儲器類型，在確定將被用于應(yīng)用系統(tǒng)的存儲器之前，設(shè)計工程師必須仔細(xì)折中考慮各種設(shè)計因素。

存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器確認(rèn)的位置存入和取出信息。

構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。