全球氦氣緊張狀況,特種氣體是光電子、微電子等領(lǐng)域

全球氦氣緊張狀況，特種氣體是光電子、微電子等領(lǐng)域，特別是超大規(guī)模集成電路、液晶顯示器件、非晶硅薄膜太陽能電池、半導(dǎo)體發(fā)光器件和半導(dǎo)體材料制造過程不可缺少的基礎(chǔ)性支撐源材料。它的純度和潔凈度直接影響到光電子、微電子元器件的質(zhì)量、集成度、特定技術(shù)指標(biāo)和成品率，并從根本上制約著電路和器件的性和準(zhǔn)確性。半導(dǎo)體照明是正處于方興未艾的產(chǎn)業(yè)，隨著化合物半導(dǎo)體市場的擴展，特種氣體的需求呈現(xiàn)更大的增長，外延生長需要大量的超純源和過程氣體。

氣瓶的公稱容積是什么?

理論上可以從空氣中分離抽取，但因其含量過于稀薄，工業(yè)上從含氦量約為0.5%的中分離、精制得到氦氣。氣瓶的高使用溫度是指氣瓶在充裝氣體以后，可能達(dá)到的高溫度?！稓馄堪踩O(jiān)察規(guī)程》規(guī)定60℃為氣瓶的高使用溫度。氣瓶的公稱工作壓力，對于盛裝壓縮氣體的氣瓶，是指氣體在基準(zhǔn)溫度下(一般為20℃)的充裝壓力；對于盛裝液化氣體的氣瓶，是指按規(guī)定的充裝系數(shù)完裝，溫度為60℃時瓶內(nèi)介質(zhì)的壓力；對于盛裝溶解的氣瓶，是指在限定充裝量下，溫度60℃時瓶內(nèi)氣的壓力。??氣瓶的公稱容積是指氣瓶規(guī)程和標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的氣瓶容積的分級系列，公稱容積和公稱工作壓力一樣是一個名義值，而不是準(zhǔn)確的實際值。為安全計，氣瓶的實際容積必須大于公稱容積，允差為 5%?？梢?，公稱容積雖是一個稱謂的名義值，但限制的是很嚴(yán)格的，不能隨便稱呼。比如公稱容積為40L的無縫氣瓶，其實際容積應(yīng)在40L至42L之間。

工業(yè)氧氣通常只需要氧氣純度

關(guān)于不同類型的氣體（例如氮氣，氫氣，氬氣和氦氣），高純氣體具有不同的純度目標(biāo)。工業(yè)氧氣通常只需要氧氣純度，而對其他衛(wèi)生條件沒有特殊要求。同時，它還包含有害氣體，例如一氧化碳，甲烷，濕氣，細(xì)菌和塵埃。工業(yè)氧氣主要用于焊接和氣焊、氣割等。高純氧氣工業(yè)氧氣是用于工業(yè)出產(chǎn)和產(chǎn)品加工的氣體。低質(zhì)量要求通常要求純度到達(dá)99％或更高。填充程序不如醫(yī)院氧氣嚴(yán)厲。水和其他雜質(zhì)常?；烊氩⒈Ａ粼谘鯕馄康难鯕馄恐小；烊氩埩粼阡撈恐械乃畬?dǎo)致氧氣瓶的內(nèi)壁生銹，這將導(dǎo)致瓶中的氣體產(chǎn)生異味。

高純氦氣高壓低溫冷凝、吸附法

高純氦氣高壓低溫冷凝、吸附法是一種經(jīng)典可靠的純化技能，該技能工藝?yán)暇?，被廣泛應(yīng)用在高純度高純氦氣的提純工藝中。高純氧氣用于二氧化硅的化學(xué)氣相沉積；作為氧化源和出產(chǎn)高純水的試的劑；干氧化與四氟化碳混合用于等離子體蝕刻。應(yīng)留意高純氧氣的安全，并應(yīng)做好防震，防火，耐熱和防油等作業(yè)。高純氧氣能夠促進(jìn)燃燒。應(yīng)將其保存在陰涼處。禁止觸摸煙的花和宜燃材料。請勿在氧氣計的螺旋形嘴上放油。