微弧氧化

       微弧氧化又稱等離子體電解氧化、微等離子體氧化等，是通過電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦等金屬及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時高溫高壓作用，原位生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。微弧氧化采用利用顯微硬度儀測量膜層表面顯微硬度曰利用環(huán)境掃描電子顯微鏡對微弧氧化陶瓷膜的表面、截面形貌以及微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀察。在微弧氧化過程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時存在,因此陶瓷層的形成過程非常復(fù)雜，至今還沒有一個合理的模型能完全描述陶瓷層的形成。

微弧氧化設(shè)備

      微弧氧化設(shè)備有熱交換和制冷設(shè)備。微弧氧化技術(shù)特點(diǎn)（1）大幅度地提高了材料的表面硬度，顯微硬度在1000至2000HV，高可達(dá)3000HV，可與硬質(zhì)合金相媲美，大大超過熱處理后的高碳鋼、高合金鋼和高速工具鋼的硬度。由于微弧氧化過程中工件表面具有較高的氧化電壓并通過較大的電解電流，使產(chǎn)生的熱量大部分集中于膜層界面處，而影響所形成膜層的質(zhì)量，因此微弧氧化必須使用配套的熱交換制冷設(shè)備，使電解液及時冷卻，保證微弧氧化在設(shè)置的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。可將電解液采用循環(huán)對流冷卻的方式進(jìn)行，既能控制溶液溫度，又達(dá)到了攪拌電解液的目的。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

微弧氧化的設(shè)備

      1. 微弧氧化電源

　　因電壓要求較高(一般在510—700V之間)，需專門定制。通常配備硅變壓器。電源輸出電壓：0—750V可調(diào)。電源輸出大電流：5A、10A、30A、50A、100A等可選。

      2.氧化槽

      一般采用pp焊接槽即可，pp槽具有堅(jiān)固耐用，防腐蝕。

      3.溶液冷卻和攪拌系統(tǒng)

      在微弧氧化過程中，會在工件表面產(chǎn)生瞬時高溫高壓，為了及時能帶走產(chǎn)生的熱量及平衡穩(wěn)定氧化槽的溫度，必須配備外循環(huán)和熱交換方式，溶液的循環(huán)同時達(dá)到攪拌和冷卻槽液的目的。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

       鋁合金微弧氧化又稱等離子體微弧氧化，等離子體陶瓷化或火花放電沉積技術(shù)。3、可處理的材料鎂、鋁、鈦、鋯、鉭、鈮等及其合金材料（包括含硅量較高的鋁合金）。它是在普通陽極氧化基礎(chǔ)上通過提升電壓等措施發(fā)展起來的，是通過電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時高溫高壓作用，生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。為此微弧氧化膜的硬度和耐磨性都得到明顯提高，其耐腐蝕性和電絕緣性也隨之有較大的提高。