華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1200A（可擴(kuò)展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨測試，可實現(xiàn)的在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試； 近兩年IGBT測試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風(fēng)力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測試儀，可以測試1200A，5000V以內(nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測試了，我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數(shù)，對一些檢修，維護(hù)領(lǐng)域的工作有比較好的幫助，目前國內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測試儀，包括動態(tài)測試儀，與國際品牌的設(shè)備也可以放在一起競爭了，而且我們不怕競爭，這對我們是一種促進(jìn)。TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、GTO等各型閘流體與二極管(DIODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號

開通延遲時間 td(on) 關(guān)斷延遲時間 td(off)

上升時間 tr 下降時間 tf

開通時間 ton 關(guān)斷時間 toff

開通損耗 Eon 關(guān)斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

反向恢復(fù)電流 IRM 反向恢復(fù)電荷 Qrr

反向恢復(fù)時間 trr 反向恢復(fù)損耗 Erec

2.2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復(fù)電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復(fù)電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復(fù)時間)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向關(guān)斷能量損失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 測試條件： 1、正向電流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt測量范圍：200～10000A/us 3、反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt測量范圍：100～10000V/us

5 包裝、標(biāo)志和運輸 賣方負(fù)責(zé)整套設(shè)備的包裝和運輸，并負(fù)擔(dān)由此產(chǎn)生的費用。1開關(guān)時間測試單元技術(shù)條件 開通時間測試參數(shù)： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量：0。出廠調(diào)試結(jié)束、出廠前預(yù)驗收完成后，賣方將為每個柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅固，能適應(yīng)中國境內(nèi)公路、鐵路運輸，并兼顧設(shè)備在現(xiàn)場保存時間的要求。包裝與運輸由專人負(fù)責(zé)，每個部分隨機(jī)文件包括發(fā)貨清單、出廠合格證、試驗報告和主要器件說明書等。