公司擁有一批長(zhǎng)期從事自動(dòng)控制與應(yīng)用、計(jì)算技術(shù)與應(yīng)用、微電子技術(shù)、電力電子技術(shù)方面的人才。公司裝備精良，具有先進(jìn)的檢測(cè)手段，產(chǎn)品生產(chǎn)嚴(yán)格按照ISO9001∶2008標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量管理體系運(yùn)行，其品質(zhì)、技術(shù)及工藝方面保持國(guó)內(nèi)，部分產(chǎn)品達(dá)到國(guó)外同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電力、冶金自動(dòng)化、軌道交通、電力電子新能源開發(fā)等行業(yè)，部分產(chǎn)品出口到歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家?，F(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。

2.2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測(cè)試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復(fù)電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復(fù)電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復(fù)時(shí)間)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向關(guān)斷能量損失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 測(cè)試條件： 1、正向電流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt測(cè)量范圍：200～10000A/us 3、反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt測(cè)量范圍：100～10000V/us

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測(cè)試電路 閾值電壓測(cè)試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路） ?滿足表格9測(cè)試參數(shù)要求 ?低壓開關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對(duì)上圖電路) ?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測(cè)試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y(cè)試電路通態(tài)壓降測(cè)試電路 。200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測(cè)試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測(cè)試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V