蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當(dāng)它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片?；患訜岬揭欢囟?，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結(jié)晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計量比的高純化合物單晶膜，薄膜較慢生長速度可控制在1單層／秒。通過控制擋板,可精準(zhǔn)地做出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。

陽極氧化：主要是鋁的陽極氧化，是利用電化學(xué)原理，在鋁和鋁合金的表面生成一層Al2O3（氧化鋁）膜。這層氧化膜具有防護性、裝飾性、絕緣性、耐磨性等特殊特性。

利用柔性拋光工具和磨料顆粒或其他拋光介質(zhì)對工件表面進行的修飾加工。針對不同的拋光過程:粗拋(基礎(chǔ)拋光過程)，中拋(精加工過程)和精拋(上光過程)，選用合適的拋光輪可以達到好的拋光效果，同時提高拋光效率。

技術(shù)特點：提高工件的尺寸精度或幾何形狀精度，得到光滑表面或鏡面光澤，同時也可消除光澤。

現(xiàn)有技術(shù)中的手機指環(huán)扣，都是通過指環(huán)與底盤中部之間的鉸接來實現(xiàn)指環(huán)相對底盤掀起，繼而實現(xiàn)指環(huán)扣的折疊或支起，當(dāng)指環(huán)扣處在支起的狀態(tài)時，指環(huán)扣只能相對手機殼自轉(zhuǎn)，實現(xiàn)從不同方向方便使用者使用；不銹鋼是容易產(chǎn)生硬化的材料，要求使用油膜強度高、抗燒結(jié)性好的拉伸油。同時，現(xiàn)有技術(shù)中的指環(huán)扣都只是僅包括有底盤和指環(huán)，對于指環(huán)扣的裝飾也限于底盤上的圖畫的變換，指環(huán)扣只能呈現(xiàn)一種靜態(tài)美。

可見，現(xiàn)有技術(shù)中的手機指環(huán)扣存在以下不足：

一，現(xiàn)有的指環(huán)扣只能通過在底盤中部轉(zhuǎn)動；

二，現(xiàn)有指環(huán)扣的裝飾難以根據(jù)使用者的喜愛而更換；

三，現(xiàn)有的指環(huán)扣上只能根據(jù)底盤的圖畫而呈現(xiàn)靜態(tài)美。