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發(fā)布時間:2021-04-28 16:33  
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晶體諧振器的電性能參數(shù)
KOAN 諧振器之負載電容 CL:也稱晶體的調(diào)整電容,外圍電路需與之匹配或反之。負載電容可大可小。
負載電容值大:遠端相噪好,過大,難調(diào)整到標稱頻率,還容易導致回路阻抗增大,不易起振;
負載電容值小,容易調(diào)整頻率,近端相噪好,易起振,功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容,愈接近晶體負載容量(CL),目標頻率愈精準
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KOAN 圓柱晶體 (kHz & MHz )修改彎曲引腳注意事項
在修改彎曲引腳時,應該避免強制拔出。否則會引起 4.玻璃珠的裂掉,因而導致殼內(nèi)真空濃度下降,從而影響產(chǎn)品的特性。正確做法是:壓住外殼基測的引腳,從上下方壓住彎曲的部位進行修改。在彎曲引腳時,引腳要留下距離外殼 0.5mm 的直線部位。如果不留出,將會導致玻璃珠的裂掉。KOAN晶振的儲存環(huán)境時間標準KOAN頻率器件儲存在-30℃--- 70℃,相對濕度不大于80%,周圍空氣無酸,堿性及其他有害物質(zhì)環(huán)境中。在引腳焊接完畢之后再將引腳彎曲時,需要留出大于外殼直徑長度的空閑部分
晶體諧振器
石英晶體在電路中用作時間或者頻率基準源,堪稱設(shè)備心臟。決定著電子設(shè)備的性能穩(wěn)定性。 主要性能指標有: 靜電容(晶體端之間的電容); 動態(tài)電容 (振動彈力); 動態(tài)電感 (振動質(zhì)量); 串聯(lián)電阻(能耗); Q值(諧振電路品質(zhì)); (負載電容); -R(負電阻特性);在串聯(lián)負載電容時,負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個,在并聯(lián)負載電容時,則是兩個頻率中較高的一個。 DLD(激勵功率變化引起阻抗變量); 調(diào)整頻差; 溫度頻差。KOAN晶振側(cè)重供應工業(yè)設(shè)備,精密儀表,研究所,軍事,航天領(lǐng)域。
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晶體諧振器的主要技術(shù)指標介紹
標稱頻率:振蕩器輸出的中心頻率或頻率的
頻率準確度:振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對于標稱頻率的偏差。
調(diào)整頻差:在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的較大允許頻率偏差。
負載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(產(chǎn)生諧振)的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時,負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個,在并聯(lián)負載電容時,則是兩個頻率中較高的一個。
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