DZS800型電子束鍍膜設備

主要用途：　　

用于制備導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜等，批量生產(chǎn)型。

系統(tǒng)組成:　　

系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、計算機系統(tǒng)及安裝機臺等部分組成?！　?

技術(shù)指標：　　

極限真空度：≤6.7×10 Pa　　恢復真空時間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　

系統(tǒng)漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　

真空室：真空室1200x9000 x800mm采用U型箱體前開門，后置抽氣系統(tǒng)　　

e型電子槍：陽極電壓：10kv(2套)　　坩堝：水冷式坩堝，24穴設計，每個容量11ml　　

功率：0-10KW可調(diào)　　電阻蒸發(fā)源(可選)　　

基片尺寸：可放置4″基片一次更換20個樣品　　

樣品臺：基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離350mm加熱溫度 400°C±1°C　　

氣路系統(tǒng)：質(zhì)量流量控制器1路　　

石英晶振膜厚控制儀：監(jiān)測膜厚顯示范圍：0-99μ9999?

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電子束鍍膜與電阻鍍膜的區(qū)別

電子束蒸鍍與利用電阻進行蒸鍍的優(yōu)勢在于：可以為待蒸發(fā)的物質(zhì)提供更高的熱量，因此蒸鍍的速率也更快；電子束定位準確，可以避免坩堝材料的蒸發(fā)和污染。但是由于蒸鍍過程中需要持續(xù)水冷，對能量的利用率不高；而且由于高能電子可能帶來的二次電子可能使殘余的氣體分子電離，也有可能帶來污染。這說明，電子在這臺增速器里速度幾乎沒有增加，而能量增加了4倍。此外，大多數(shù)的化合物薄膜在被高能電子轟擊時會發(fā)生分解，這影響了薄膜的成分和結(jié)構(gòu) 。

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電子束蒸發(fā)鍍膜設備簡介

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售電子束，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

高真空電子束蒸發(fā)鍍膜設備采用完全封閉的系統(tǒng)框架，結(jié)構(gòu)緊湊，外觀更漂亮，使用更安全。6-10KW e型電子槍可選國產(chǎn)或進口，可選配離子束清洗及輔助鍍膜功能。3、膜厚監(jiān)測及控制系統(tǒng)，可在線監(jiān)測及控制膜層厚度，膜厚儀與基片擋板聯(lián)動，形成閉環(huán)控制。該設備廣泛應用于科研院所、高校在片狀、半球狀、異形基底表面制備金屬/化合物（ITO等氧化物）/導電薄膜/光學薄膜等。

電子束鍍膜的濺射方式

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濺射方式是用高速正離子轟擊靶材表面，通過動能傳輸，令靶材的分子（原子）有足夠的能量從靶材表面逸出，在產(chǎn)品表面凝聚形成薄膜。

用濺射的方法制鍍的薄膜附著性強，薄膜的純度高，可以同時濺射多種不同成分的材料，但是對靶材的要求高，不能象電子槍一樣節(jié)約資源。

目前運用較多的有磁控濺射，磁控濺射是指平行于陰極表面施加強電場，將電子約束在陰極靶材表面附近，提高電離效率。它是操作比較簡單的一種，所以運用非常廣。