脈沖激光沉積機(jī)制

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PLD的系統(tǒng)設(shè)備簡單，相反，它的原理卻是非常復(fù)雜的物理現(xiàn)象。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時，激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達(dá)已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移，及膜的生成過程。如果您想要了解更多脈沖激光沉積的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。所以，PLD一般可以分為以下四個階段：

1. 激光輻射與靶的相互作用

2. 熔化物質(zhì)的動態(tài)

3. 熔化物質(zhì)在基片的沉積

4. 薄膜在基片表面的成核（nucleation）與生成。

脈沖激光沉積簡介

脈沖激光沉積，就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。脈沖激光沉積的自動化想要了解更多脈沖激光沉積的相關(guān)內(nèi)容，請及時關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司網(wǎng)站或撥打圖片上的熱線電話。

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長室，進(jìn)樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達(dá)100Pa可預(yù)留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項(xiàng)如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個碰撞區(qū)。

脈沖激光沉積的原理

脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

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