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發(fā)布時(shí)間:2021-05-18 03:41  
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光刻膠的應(yīng)用
以下內(nèi)容由賽米萊德為您提供,希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。
模擬半導(dǎo)體(Analog Semiconductors)發(fā)光二極管(Light-Emitting Diodes LEDs)微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectromechanical Systems MEMS)太陽(yáng)能光伏(Solar Photovoltaics PV)微流道和生物芯片(Microfluidics & Biochips)光電子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)封裝(Packaging)
光刻膠分類(lèi)
正性光刻膠和負(fù)性光刻膠
光刻膠可依據(jù)不同的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類(lèi)。按照化學(xué)反應(yīng)和顯影的原理,光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。如果顯影時(shí)未曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相反,稱(chēng)為負(fù)性光刻膠;如果顯影時(shí)曝光部分溶解于顯影液,形成的圖形與掩膜版相同,稱(chēng)為正性光刻膠。
在實(shí)際運(yùn)用過(guò)程中,由于負(fù)性光刻膠在顯影時(shí)容易發(fā)生變形和膨脹的情況,一般情況下分辨率只能達(dá)到 2 微米,因此正性光刻膠的應(yīng)用更為廣泛。
光刻膠的核心參數(shù)是什么?
分辨率、對(duì)比度和敏感度是光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展,芯片制造特征尺寸越來(lái)越小,對(duì)光刻膠的要求也越來(lái)越高。光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)包括分辨率、對(duì)比度和敏感度等。為了滿(mǎn)足集成電路發(fā)展的需要,光刻膠朝著高分辨率、高對(duì)比度以及高敏感度等方向發(fā)展。
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光刻膠分類(lèi)概述
賽米萊德專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)、銷(xiāo)售光刻膠,以下信息由賽米萊德為您提供。
基于感光樹(shù)脂的化學(xué)結(jié)構(gòu),光刻膠可以分為三種類(lèi)型。
①光聚合型,采用烯類(lèi)單體,在光作用下生成自由基,自由基再進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,然后生成聚合物,具有形成正像的特點(diǎn)。
②光分解型,采用含有疊氮醌類(lèi)化合物的材料,經(jīng)光照后,會(huì)發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄?,可以制成正性膠。
③光交聯(lián)型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開(kāi),并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而起到抗蝕作用,這是一種典型的負(fù)性光刻膠。