CMP技術的概念是1965年由Manto提出。該技術是用于獲取高質量的玻璃表面，如望遠鏡等。1988年IBM開始將CMP技術運用于4MDRAM 的制造中，而自從1991年IBM將CMP成功應用到64MDRAM 的生產中以后，CMP技術在世界各地迅速發(fā)展起來。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機械或純化學的拋光方法，CMP通過化學的和機械的綜合作用，從而避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進行拋光以實現高質量的表面拋光。

使用方法：1． 使用 工藝處理濃度: 建議控制條件 理想值Risr- B709 原液使用 原液使用處理溫度 &nbs p; 65-75℃ 70℃處理方法 &nbs p; 攪拌浸泡處理時間 &nbs p; 5-10分鐘 5min注：使用前 采用恒溫加熱35℃和均勻的攪拌，建議采用石英加熱器加熱。2． 處理流程工件脫脂 水洗 侵入化拋劑 清洗（2-3次） 烘干或后處理工序。建 浴：1、清槽 建議使用鋼體結構內襯PP或PE材料，首先使用 堿液清洗后再使用鹽酸清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用純水清洗一遍；2、配制 原液使用。廢水處理：廢水處理按常規(guī)化學品處理，同時應遵循 有關的化學應用規(guī)則，注意事項：在接觸化學品時，必須閱讀、理解和遵循MSDS上 的急救和處理建議。貯存時注意：貯存處應陰涼、干燥、避光。

注意事項根據我公司長時間對拋光工藝的摸索與實踐，光亮劑在拋光液中幾乎消耗相當細微，因此時視具體的情況配比補加光亮劑，新配拋光溶液拋光時間要短；溫度偏高時，拋光時間要短些，若拋光2min以上仍不光亮時，可觀察拋光時液面泡沫的多少，酌情添加光亮劑，泡沫少時可按適當比例添加部份光亮劑，泡沫多時只要按比例加入磷酸和硫酸即可。生產一段時間后的溶液呈乳白色且粘度大，所以化學拋光后的產品需要反復清洗，否則酸液殘留于工件表面將會導致表面產生白霜點。

依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。