利用壓控振蕩器來控制頻率

高頻壓控振蕩器的電壓控制頻率部份, 通常是用變容二極管C 與電感 L, 所接成的 LC 諧振電路。提高變容二極管的逆向偏壓, 二極管內的空泛區(qū)會加大, 兩導體面之距離一變長, 電容就降低了, 此 LC 電路的諧振頻率, 就會被提高. 反之, 降低逆向偏壓時, 二極管內的電容變大, 頻率就會降低.

而低頻壓控振蕩器則依照不同頻率而選擇不同的方法，例如以改變對電容的充電速率為手段來得到一個電壓控制的電流源。參見波型產生器。

壓控振蕩器的性能參數(shù)

VCO的關鍵性能參數(shù)是調諧電壓、頻率范圍、本底噪聲、相位噪聲、輸出功率、諧波和負載阻抗。其次要性能參數(shù)包括電源電壓、電源電流、調諧靈敏度、推頻、牽引、調諧端口電容和機械事項。調諧靈敏度用于說明調諧電壓（MHz/V）變化引起的輸出頻率變化。值得注意的是輸出功率和諧波功率與輸入直流功率和調諧電壓之間存在關系，但是不一定存在線性關系。

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壓控振蕩器優(yōu)點

低相位噪聲：高頻低抖動的LVDS輸出壓控晶振，抖動小于0.6ps(12K~20M)。高頻率輸出:CMOS可達到245MHz, LVDS高頻率為2.1GHz, HCSL高可到700MHz。經常會結合PLL鎖相電路實現(xiàn)超高頻，如圖1所示。小尺寸: VCXO尺寸為2.5x2.0mm, CMOS輸出，工作電壓1.8~5.0V, 頻率范圍為4.0~50MHz.低功耗: 電壓可選1.8V。

1. 中心頻率指頻率調節(jié)范圍的中間值，CMOS輸出可達到245.0MHz，LVDS可達到2.1GHz, HCSL可達到700MHz。

2. 輸出方式根據(jù)需要采用不同的輸出。CMOS, LVDS, HCSL, True Sine都有不同的波形特征以及用途。

3. 工作電壓可根據(jù)具體型號選擇1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的應用較為廣泛。

4. 壓控范圍通過調節(jié)控制電壓改變輸出頻率。單位為ppm，范圍一般為±50~200ppm。

5. 頻率穩(wěn)定度在工作溫度范圍內，對標稱頻率允許的偏差，單位一般為百萬分之一即ppm。

6. 工作溫度工業(yè)級標準-40~85℃。特殊應用會對溫度有更高的要求。